SiO2 Thin Film Thermal Oxide Silicon wafer 4inch 6inch 8inch 12inch

Mubo nga Deskripsyon:

Makahatag kami og taas nga temperatura nga superconducting thin film substrate, magnetic thin films ug ferroelectric thin film substrate, semiconductor crystal, optical crystal, laser crystal nga mga materyales, sa samang higayon naghatag og oryentasyon ug langyaw nga mga unibersidad ug mga research institute aron makahatag og taas nga kalidad (ultra hapsay, ultra hapsay, ultra limpyo)

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Pagpaila sa wafer box

Ang nag-unang proseso sa paghimo og oxidized silicon wafers kasagaran naglakip sa mosunod nga mga lakang: monocrystalline silicon nga pagtubo, pagputol sa mga wafer, pagpasinaw, paglimpyo ug oksihenasyon.

Monocrystalline silicon nga pagtubo: Una, ang monocrystalline silicon gipatubo sa taas nga temperatura pinaagi sa mga pamaagi sama sa Czochralski method o sa Float-zone method. Kini nga pamaagi makahimo sa pag-andam sa silicon single nga kristal nga adunay taas nga kaputli ug lattice integridad.

Dicing: Ang gipatubo nga monocrystalline silicon kasagaran sa usa ka cylindrical nga porma ug kinahanglan nga putlon ngadto sa nipis nga mga ostiya aron magamit isip usa ka substrate nga wafer. Ang pagputol kasagaran gihimo gamit ang usa ka diamante cutter.

Pagpasinaw: Ang nawong sa giputol nga wafer mahimong dili patas ug nagkinahanglan og kemikal-mekanikal nga pagpasinaw aron makakuha og hamis nga nawong.

Paglimpyo: Ang gipasinaw nga wafer gilimpyohan aron makuha ang mga hugaw ug abug.

Oxidizing: Sa katapusan, ang mga silicon wafers gibutang sa usa ka taas nga temperatura hudno alang sa oxidizing pagtambal sa pagporma sa usa ka protective layer sa silicon dioxide sa pagpalambo sa iyang elektrikal nga mga kabtangan ug mekanikal nga kalig-on, ingon man sa pag-alagad ingon nga usa ka insulating layer sa integrated circuits.

Ang mga nag-unang gamit sa oxidized silicon wafers naglakip sa paghimo sa integrated circuits, ang paghimo sa solar cells, ug ang paghimo sa ubang mga electronic device. Ang mga wafer sa Silicon oxide kaylap nga gigamit sa natad sa mga materyales sa semiconductor tungod sa ilang maayo kaayo nga mekanikal nga mga kabtangan, dimensional ug kemikal nga kalig-on, abilidad sa pag-operate sa taas nga temperatura ug taas nga presyur, ingon man maayo nga insulating ug optical properties.

Ang mga bentaha niini naglakip sa usa ka kompleto nga kristal nga istruktura, lunsay nga kemikal nga komposisyon, tukma nga mga sukat, maayo nga mekanikal nga mga kabtangan, ug uban pa Kini nga mga bahin naghimo sa silicon oxide wafers ilabi na nga angay alang sa paghimo sa high-performance integrated circuits ug uban pang microelectronic nga mga himan.