SiC
-
12 pulgada nga SIC substrate silicon carbide prime grade diametro 300mm dako nga gidak-on 4H-N Angayan alang sa high power device heat dissipation
-
8 pulgada nga SiC silicon carbide wafer 4H-N type 0.5mm production grade research grade custom polished substrate
-
HPSI SiC wafer dia: 3inch nga gibag-on: 350um± 25 µm alang sa Power Electronics
-
3inch High purity Semi-Insulating （HPSI）SiC wafer 350um Dummy grade Prime grade
-
P-type nga SiC substrate SiC wafer Dia2inch bag-ong produkto
-
8inch 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type Production grade 500um nga gibag-on
-
2Inch 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Dobleng Pinasinaw nga Conductive Prime Grade Mos Grade
-
SiC Substrate SiC Epi-wafer conductive/semi type 4 6 8 pulgada
-
SiC Epitaxial Wafer alang sa Gahum nga mga Device - 4H-SiC, N-type, Ubos nga Densidad sa Depekto
-
4H-N Type SiC Epitaxial Wafer Taas nga Boltahe nga Taas nga Frequency
-
3 ka pulgada nga Taas nga Kaputli (Wala Nabag-o) Silicon Carbide Wafers semi-Insulating Sic Substrates (HPSl)
-
4H-N 8 pulgada nga SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Research grado 500um gibag-on