Ang mga wafer sa SiC mga semiconductor nga hinimo gikan sa silicon carbide.Kini nga materyal naugmad sa 1893 ug maayo alang sa lainlaing mga aplikasyon.Ilabi na nga angay alang sa Schottky diodes, junction barrier Schottky diodes, switch ug metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.Tungod sa taas nga katig-a niini, kini usa ka maayo kaayo nga kapilian alang sa mga sangkap nga elektroniko sa kuryente.
Sa pagkakaron, adunay duha ka nag-unang matang sa SiC wafers.Ang una mao ang pinasinaw nga wafer, nga usa ka silicon carbide wafer.Gihimo kini sa taas nga kaputli nga mga kristal nga SiC ug mahimong 100mm o 150mm ang diyametro.Gigamit kini sa taas nga gahum nga elektronik nga mga himan.Ang ikaduha nga tipo mao ang epitaxial crystal silicon carbide wafer.Kini nga matang sa wafer gihimo pinaagi sa pagdugang sa usa ka layer sa silicon carbide kristal sa ibabaw.Kini nga pamaagi nanginahanglan ug tukma nga pagkontrol sa gibag-on sa materyal ug nailhan nga N-type nga epitaxy.
Ang sunod nga tipo mao ang beta silicon carbide.Ang Beta SiC gihimo sa temperatura nga labaw sa 1700 degrees Celsius.Ang mga alpha carbide mao ang labing komon ug adunay hexagonal nga kristal nga istruktura nga susama sa wurtzite.Ang beta nga porma susama sa diamante ug gigamit sa pipila ka mga aplikasyon.Kanunay kini ang una nga kapilian alang sa mga semi-natapos nga produkto sa kuryente sa awto.Daghang mga third-party nga silicon carbide wafer suppliers ang karon nagtrabaho niining bag-ong materyal.
Ang mga wafer sa ZMSH SiC sikat kaayo nga mga materyales sa semiconductor.Kini usa ka taas nga kalidad nga semiconductor nga materyal nga haum kaayo alang sa daghang mga aplikasyon.Ang ZMSH silicon carbide wafers usa ka mapuslanon nga materyal alang sa lainlaing mga elektronik nga aparato.Nagsuplay ang ZMSH sa daghang halapad nga kalidad nga mga wafer ug substrate sa SiC.Anaa sila sa N-type ug semi-insulated nga mga porma.
2---Silicon Carbide: Ngadto sa usa ka bag-ong panahon sa mga ostiya
Pisikal nga mga kabtangan ug mga kinaiya sa silicon carbide
Ang Silicon carbide adunay espesyal nga kristal nga istruktura, gamit ang usa ka hexagonal nga close-packed nga istruktura nga susama sa diamante.Kini nga istruktura nagtugot sa silicon carbide nga adunay maayo kaayo nga thermal conductivity ug taas nga resistensya sa temperatura.Kung itandi sa tradisyonal nga silicon nga mga materyales, ang silicon carbide adunay mas dako nga band gap width, nga naghatag og mas taas nga electron band spacing, nga miresulta sa mas taas nga electron mobility ug ubos nga leakage current.Dugang pa, ang silicon carbide usab adunay mas taas nga electron saturation drift speed ug usa ka ubos nga resistivity sa materyal mismo, nga naghatag og mas maayo nga performance alang sa high power applications.
Mga kaso sa aplikasyon ug mga prospect sa mga wafer sa silicon carbide
Power electronics nga mga aplikasyon
Ang silicone carbide wafer adunay halapad nga posibilidad nga magamit sa natad sa kuryente.Tungod sa ilang taas nga electron mobility ug maayo kaayo nga thermal conductivity, ang SIC wafers mahimong magamit sa paghimo sa high-power density switching devices, sama sa power modules para sa electric vehicles ug solar inverters.Ang taas nga kalig-on sa temperatura sa mga wafer sa silicon carbide makapahimo niini nga mga himan sa pag-operate sa taas nga temperatura nga mga palibot, nga naghatag og mas dako nga episyente ug kasaligan.
Optoelectronic nga mga aplikasyon
Sa natad sa optoelectronic nga mga aparato, ang mga wafer sa silicon carbide nagpakita sa ilang talagsaon nga mga bentaha.Ang materyal nga Silicon carbide adunay lapad nga band gap nga mga kinaiya, nga makapahimo niini nga makab-ot ang taas nga enerhiya sa photonon ug ubos nga pagkawala sa kahayag sa mga optoelectronic nga mga himan.Silicon carbide wafers mahimong gamiton sa pag-andam sa high-speed komunikasyon mga himan, photodetector ug laser.Ang maayo kaayo nga thermal conductivity ug ubos nga crystal defect density naghimo niini nga sulundon alang sa pag-andam sa taas nga kalidad nga mga aparato nga optoelectronic.
Panglantaw
Sa nagkadako nga panginahanglan alang sa mga high-performance nga elektronik nga aparato, ang mga wafer sa silicon carbide adunay usa ka maayong kaugmaon ingon usa ka materyal nga adunay maayo kaayo nga mga kabtangan ug halapad nga potensyal sa aplikasyon.Uban sa padayon nga pag-uswag sa teknolohiya sa pag-andam ug pagkunhod sa gasto, ang komersyal nga aplikasyon sa silicon carbide wafers i-promote.Gilauman nga sa sunod nga mga tuig, ang mga wafer sa silicon carbide anam-anam nga mosulod sa merkado ug mahimong panguna nga kapilian alang sa taas nga gahum, taas nga frequency ug taas nga temperatura nga aplikasyon.
3---Sa lawom nga pagtuki sa SiC wafer merkado ug teknolohiya uso
Ang lawom nga pag-analisar sa mga drayber sa merkado sa wafer sa silicon carbide (SiC).
Ang pagtubo sa silicon carbide (SiC) wafer market naimpluwensyahan sa daghang mga hinungdan nga hinungdan, ug ang lawom nga pag-analisar sa epekto sa kini nga mga hinungdan sa merkado kritikal.Ania ang pipila sa mga nag-unang drayber sa merkado:
Pag-save sa enerhiya ug pagpanalipod sa kalikopan: Ang taas nga pasundayag ug mubu nga mga kinaiya sa pagkonsumo sa kuryente sa mga materyales nga silicon carbide naghimo niini nga popular sa natad sa pagtipig sa enerhiya ug pagpanalipod sa kalikopan.Ang panginahanglan alang sa mga de-koryenteng salakyanan, solar inverters ug uban pang mga aparato sa pagbag-o sa enerhiya nagmaneho sa pagtubo sa merkado sa mga wafer sa silicon carbide tungod kay makatabang kini nga makunhuran ang basura sa enerhiya.
Mga aplikasyon sa Power Electronics: Ang Silicon carbide milabaw sa mga aplikasyon sa power electronics ug mahimong magamit sa power electronics ubos sa taas nga presyur ug taas nga temperatura nga mga palibot.Sa pagkapopular sa nabag-o nga kusog ug pag-promote sa pagbalhin sa kuryente, ang panginahanglan alang sa mga wafer sa silicon carbide sa merkado sa kuryente sa kuryente nagpadayon sa pagdugang.
Ang SiC wafer sa umaabot nga pag-uswag sa teknolohiya sa paghimo sa us aka detalyado nga pagtuki
Mass production ug cost reduction: Ang umaabot nga SiC wafer manufacturing mas mag-focus sa mass production ug cost reduction.Naglakip kini sa gipaayo nga mga teknik sa pagtubo sama sa chemical vapor deposition (CVD) ug physical vapor deposition (PVD) aron madugangan ang produktibidad ug makunhuran ang gasto sa produksiyon.Dugang pa, ang pagsagop sa intelihente ug awtomatiko nga mga proseso sa produksiyon gilauman nga labi nga mapauswag ang kahusayan.
Bag-ong gidak-on ug istruktura sa wafer: Ang gidak-on ug istruktura sa mga wafer sa SiC mahimong mabag-o sa umaabot aron matubag ang mga panginahanglanon sa lainlaing mga aplikasyon.Mahimong maglakip kini sa mas dako nga diametro nga mga wafer, heterogenous nga mga istruktura, o multilayer nga mga wafer aron makahatag og dugang nga pagka-flexible sa disenyo ug mga kapilian sa performance.
Energy Efficiency ug Green Manufacturing: Ang paggama sa SiC wafers sa umaabot maghatag ug mas dakong gibug-aton sa energy efficiency ug green manufacturing.Ang mga pabrika nga gipadagan sa nabag-o nga enerhiya, berde nga materyales, pag-recycle sa basura ug mga proseso sa produksiyon nga ubos ang carbon mahimong uso sa paghimo.
Oras sa pag-post: Ene-19-2024