Mga LiTaO3 Lithium Tantalate Ingots nga adunay Fe/Mg Doping nga Gipasadya nga 4 pulgada 6 pulgada 8 pulgada para sa Industrial Sensing

Mga LiTaO3 Lithium Tantalate Ingots nga adunay Fe/Mg Doping nga Gipasadya 4 pulgada 6 pulgada 8 pulgada para sa Industrial Sensing Gipili nga Imahe

Mubo nga Deskripsyon:

Ang LiTaO3 Ingots (Lithium Tantalate Ingots), isip kinauyokan nga mga materyales para sa ikatulong henerasyon nga wide-bandgap semiconductors ug optoelectronics, naggamit sa ilang taas nga Curie temperature (607°C), lapad nga transparency range (400–5,200 nm), maayo kaayong electromechanical coupling coefficient (Kt² >15%), ug ubos nga dielectric loss (tanδ <2%) aron mabag-o ang 5G communications, quantum computing, ug photonic integration. Pinaagi sa mga advanced fabrication technologies sama sa physical vapor transport (PVT) ug chemical vapor deposition (CVD), naghatag kami og X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ug periodically poled (PPLT) ingots sa 3–8-pulgada nga mga specifications, nga adunay micropipe density nga <0.1 cm⁻² ug dislocation density nga <500 cm⁻². Ang among mga serbisyo naglakip sa Fe/Mg doping, proton exchange waveguides, ug silicon-based heterogeneous integration (POI), nga nagtubag sa high-performance optical filters, quantum light sources, ug infrared detectors. Kini nga materyal nagdala og mga breakthrough sa miniaturization, high-frequency operation, ug thermal stability, nga nagpadali sa domestic substitution ug teknolohikal nga pag-uswag.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Teknikal nga mga parametro

Espisipikasyon	Kombensiyonal	Taas nga Katukma
Mga Materyales	Mga wafer sa LiTaO3(LT)/ LiNbO3	Mga wafer sa LiTaO3(LT)/LiNbO3
Oryentasyon	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°
Parallel	30 pulgada	10''
Perpendikular	10′	5'
Kalidad sa nawong	40/20	20/10
Pagtuis sa Wavefront	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Pagkapatag sa Ibabaw	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Klaro nga Aperture	>90%	>90%
Chamfer	<0.2×45°	<0.2×45°
Pagkamatugot sa Gibag-on/Diametro	±0.1 mm	±0.1 mm
Pinakataas nga mga dimensyon	diametro 150×50mm	diametro 150×50mm

Mga Serbisyo sa XKH

1. Paggama sa Dakong Ingot"

Gidak-on ug Pagputol: 3–8-pulgada nga mga ingot nga adunay X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ug gipahaom nga angular cuts (±0.01° tolerance).

Pagkontrol sa Doping: Co-doping sa Fe/Mg pinaagi sa pamaagi sa Czochralski (range sa konsentrasyon 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) aron ma-optimize ang photorefractive resistance ug thermal stability.

2. Abansado nga mga Teknolohiya sa Proseso"

Heterogeneous Integration: Silicon-based LiTaO3 composite wafers (POI) nga adunay thickness control (300–600 nm) ug thermal conductivity hangtod sa 8.78 W/m·K para sa high-frequency SAW filters.

Paghimo og Waveguide: Mga teknik sa Proton exchange (PE) ug reverse proton exchange (RPE), nga nakab-ot ang submicron waveguides (Δn >0.7) para sa mga high-speed electro-optic modulators (bandwidth >40 GHz).

3. Mga Sistema sa Pagdumala sa Kalidad

End-to-End nga Pagsulay: Raman spectroscopy (polytype verification), XRD (crystallinity), AFM (surface morphology), ug optical uniformity testing (Δn <5×10⁻⁵).

4. Suporta sa Kadena sa Suplay sa Tibuok Kalibutan

Kapasidad sa Produksyon: Binulan nga output >5,000 ka ingot (8-pulgada: 70%), nga nagsuporta sa 48-oras nga emerhensya nga paghatud.

Logistics Network: Sakop sa Europe, North America, ug Asia-Pacific pinaagi sa air/sea freight nga adunay temperature-controlled packaging.

5. Teknikal nga Pag-uswag

Mga Hiniusang Laboratoryo sa R&D: Pagtinabangay sa mga plataporma sa photonic integration (pananglitan, SiO2 low-loss layer bonding).

Sumaryo

Ang LiTaO3 Ingots nagsilbing estratehikong mga materyales nga nag-usab sa optoelectronics ug quantum technologies. Pinaagi sa mga inobasyon sa pagtubo sa kristal (pananglitan, PVT), pagpamenos sa depekto, ug heterogeneous integration (pananglitan, POI), naghatag kami og taas nga kasaligan, epektibo sa gasto nga mga solusyon para sa 5G/6G nga komunikasyon, quantum computing, ug industrial IoT. Ang pasalig sa XKH sa pagpalambo sa pagkunhod sa depekto sa ingot ug pag-scale sa 8-inch nga produksiyon nagsiguro nga ang mga kliyente nanguna sa mga global supply chain, nga nagduso sa sunod nga panahon sa wide-bandgap semiconductor ecosystems.