LiTaO3 Lithium Tantalate Ingots nga adunay Fe / Mg Doping Customized 4inch 6inch 8inch alang sa Industrial Sensing

Mubo nga Deskripsyon:

Ang LiTaO3 Ingots (Lithium Tantalate Ingots), isip kinauyokan nga mga materyales alang sa ikatulo nga henerasyon nga lapad nga bandgap semiconductors ug optoelectronics, nagpahimulos sa ilang taas nga temperatura sa Curie (607°C), halapad nga transparency range (400–5,200 nm), maayo kaayo nga electromechanical coupling coefficient (Kt²>15%), ug ubos nga dielectric loss (tanδ <2%) aron mabag-o ang 5G nga komunikasyon, quantum computing, ug photonic integration. Pinaagi sa mga advanced fabrication nga teknolohiya sama sa physical vapor transport (PVT) ug chemical vapor deposition (CVD), naghatag kami og X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ug periodically poled (PPLT) ingots sa 3–8-inch specifications, nga adunay micropipe density <0.1 cm⁻² ug dislocation density <500 cm⁻². Ang among mga serbisyo naglakip sa Fe/Mg doping, proton exchange waveguides, ug silicon-based heterogeneous integration (POI), pagtubag sa high-performance optical filters, quantum light sources, ug infrared detector. Kini nga materyal nagduso sa mga kalampusan sa miniaturization, high-frequency nga operasyon, ug thermal stability, pagpadali sa domestic substitution ug teknolohikal nga pag-uswag.

Ipadala ang email kanamo

Mga bahin

Teknikal nga mga parametro

Espesipikasyon	Kombensiyonal	Taas nga Katukma
Mga materyales	LiTaO3(LT)/ LiNbO3 wafers	LiTaO3(LT)/LiNbO3 wafers
orientasyon	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°
Parallel	30″	10''
Perpendikular	10′	5'
kalidad sa nawong	40/20	20/10
Wavefront Distortion	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Patag sa nawong	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Tin-aw nga Aperture	>90%	>90%
Chamfer	<0.2×45°	<0.2×45°
Gibag-on/Diametro nga pagkamatugtanon	± 0.1 mm	± 0.1 mm
Maximum nga mga sukod	diyametro 150 × 50mm	diyametro 150 × 50mm

Mga Serbisyo sa XKH

1. Dakong-Scale Ingot Fabrication'

Gidak-on ug Pagputol: 3–8-pulgada nga mga ingot nga adunay X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ug custom angular cuts (±0.01° tolerance).

Doping Control: Fe/Mg co-doping pinaagi sa Czochralski method (concentration range 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) aron ma-optimize ang photorefractive resistance ug thermal stability.

2. Advanced nga Teknolohiya sa Proseso'

Heterogenous Integration: Silicon-based LiTaO3 composite wafers (POI) nga adunay gibag-on nga kontrol (300-600 nm) ug thermal conductivity hangtod sa 8.78 W/m·K alang sa high-frequency SAW filters.

Waveguide Fabrication: Proton exchange (PE) ug reverse proton exchange (RPE) nga mga teknik, pagkab-ot sa submicron waveguides (Δn>0.7) para sa high-speed electro-optic modulators (bandwidth>40 GHz).

3. Mga Sistema sa Pagdumala sa Kalidad

End-to-End Testing: Raman spectroscopy (polytype verification), XRD (crystallinity), AFM (surface morphology), ug optical uniformity testing (Δn <5×10⁻⁵).

4. Global Supply Chain Support

Kapasidad sa Produksyon: Buwan nga output> 5,000 nga ingot (8-pulgada: 70%), pagsuporta sa 48-oras nga paghatud sa emerhensya.

Logistics Network: Coverage sa Europe, North America, ug Asia-Pacific pinaagi sa air/sea freight nga may temperature-controlled nga packaging.

5. Teknikal nga Co-Development

Joint R&D Labs: Magtinabangay sa photonic integration platforms (eg, SiO2 low-loss layer bonding).

Summary

Ang LiTaO3 Ingots nagsilbing estratehikong materyales nga nag-usab sa optoelectronics ug quantum nga mga teknolohiya. Pinaagi sa mga inobasyon sa pagtubo sa kristal (pananglitan, PVT), pagpaminus sa depekto, ug heterogeneous integration (eg, POI), naghatag kami og taas nga kasaligan, epektibo nga mga solusyon alang sa 5G/6G nga komunikasyon, quantum computing, ug industriyal nga IoT. Ang pasalig sa XKH sa pagpauswag sa pagkunhod sa depekto sa ingot ug pag-scale sa 8-pulgada nga produksiyon nagsiguro nga ang mga kliyente nanguna sa mga kadena sa suplay sa kalibutan, nga nagmaneho sa sunod nga panahon sa lapad nga bandgap nga semiconductor ecosystem.