4H-N 4 pulgada nga SiC substrate wafer Silicon Carbide Production Dummy Research nga grado

4H-N 4 pulgada nga SiC substrate wafer Silicon Carbide Production Dummy Research grade Gipili nga Imahe

Mubo nga paghulagway:

Ang 4-pulgada nga silicon carbide single crystal substrate wafer usa ka high-performance nga materyal nga adunay talagsaong pisikal ug kemikal nga mga kabtangan.Gihimo kini sa high-purity silicon carbide single crystal material nga adunay maayo kaayo nga thermal conductivity, mekanikal nga kalig-on ug taas nga temperatura nga pagsukol.Salamat sa proseso sa pag-andam sa taas nga katukma ug taas nga kalidad nga mga materyales, kini nga chip usa sa mga gipalabi nga materyales alang sa pag-andam sa mga high-performance nga elektronik nga aparato sa daghang natad.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Mga aplikasyon

Ang 4-pulgada nga silicon carbide nga usa ka kristal nga substrate wafer adunay hinungdanon nga papel sa daghang natad.Una, kaylap kini nga gigamit sa industriya sa semiconductor sa pag-andam sa mga high-power nga elektronik nga aparato sama sa mga transistor sa kuryente, integrated circuit ug mga module sa kuryente.Ang taas nga thermal conductivity niini ug taas nga temperatura nga pagsukol makapahimo niini nga mas maayo nga mawala ang kainit ug maghatag labi ka maayo nga pagtrabaho ug kasaligan.Ikaduha, ang mga wafer sa silicon carbide gigamit usab sa natad sa panukiduki aron ipahigayon ang panukiduki sa mga bag-ong materyales ug aparato.Dugang pa, ang mga wafer sa silicon carbide kaylap nga gigamit sa optoelectronics, sama sa paghimo sa mga led ug laser diode.

Ang mga detalye sa 4inch SiC wafer

4-pulgada nga silicon carbide nga usa ka kristal nga substrate nga wafer diametro nga 4 pulgada (mga 101.6mm), pagkahuman sa nawong hangtod sa Ra <0.5 nm, gibag-on nga 600±25 μm.Ang conductivity sa wafer mao ang N type o P type ug mahimong ipasibo sumala sa mga panginahanglanon sa kustomer.Dugang pa, ang chip usab adunay maayo kaayo nga mekanikal nga kalig-on, makasugakod sa usa ka piho nga kantidad sa presyur ug vibration.

pulgada silicon carbide single kristal substrate wafer mao ang usa ka high-performance nga materyal kaylap nga gigamit sa semiconductor, research ug optoelectronics natad.Kini adunay maayo kaayo nga thermal conductivity, mekanikal nga kalig-on ug taas nga temperatura nga pagsukol, nga angay alang sa pag-andam sa taas nga gahum sa elektronik nga mga himan ug sa panukiduki sa bag-ong mga materyales.Nagtanyag kami usa ka lainlaing mga detalye ug mga kapilian sa pag-customize aron matubag ang lainlaing mga panginahanglanon sa kustomer.Palihug pagtagad sa among independente nga site aron mahibal-an ang dugang bahin sa impormasyon sa produkto sa mga wafer sa silicon carbide.

Panguna nga mga buhat: Silicon carbide wafers, silicon carbide single crystal substrate wafers, 4 pulgada, thermal conductivity, mechanical stability, taas nga temperatura nga resistensya, power transistors, integrated circuits, power modules, leds, laser diodes, surface finish, conductivity, custom options