4 pulgada nga SiC Wafers 6H Semi-Insulating SiC Substrates prime, research, ug dummy nga grado

4 pulgada nga SiC Wafers 6H Semi-Insulating SiC Substrates prime, research, ug dummy grade Featured Image

Mubo nga paghulagway:

Ang semi-insulated nga silicon carbide substrate naporma pinaagi sa pagputol, paggaling, pagpasinaw, paglimpyo ug uban pang teknolohiya sa pagproseso human sa pagtubo sa semi-insulated nga silicon carbide nga kristal.Ang usa ka layer o multilayer nga kristal nga layer gipatubo sa substrate nga nagtagbo sa mga kinahanglanon sa kalidad ingon epitaxy, ug dayon ang aparato sa microwave RF gihimo pinaagi sa paghiusa sa disenyo sa circuit ug packaging.Anaa ingon nga 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch nga industriyal, panukiduki ug pagsulay nga grado nga semi-insulated silicon carbide single crystal substrates.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Detalye sa Produkto

Grado			Zero MPD Production Grade (Z Grade)			Standard nga Grado sa Produksyon (P Grado)		Dummy nga Grado (D Grado)
Diametro			99.5 mm~100.0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Orientasyon sa Wafer			Off axis : 4.0° padulong sa< 1120 > ± 0.5° para sa 4H-N, On axis : <0001>±0.5° para sa 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Panguna nga Flat Orientation		{10-10} ±5.0°
Panguna nga Patag nga Gitas-on		32.5 mm±2.0 mm
Secondary Flat nga Gitas-on		18.0 mm±2.0 mm
Secondary Flat Orientation		Silicon face up: 90° CW.gikan sa Prime flat ±5.0°
Eksklusyon sa Edge		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Pagkagahi			C nawong				kahamis		Ra≤1 nm
			Nawong	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
Edge Cracks Pinaagi sa High Intensity Light		Wala						Cumulative gitas-on ≤ 10 mm, single gitas-on≤2 mm
Hex Plate Pinaagi sa Taas nga Intensity nga Kahayag		Cumulative area ≤0.05%						Cumulative area ≤0.1%
Mga Polytype nga Lugar Pinaagi sa Taas nga Intensity nga Kahayag		Wala						Cumulative area≤3%
Biswal nga Carbon Inklusyon		Cumulative area ≤0.05%						Kumulatibo nga lugar ≤3%
Silicon Surface scratches Pinaagi sa Taas nga Intensity Light		Wala						Cumulative nga gitas-on≤1＊wafer diametro
Edge Chips Taas Pinaagi sa Intensity Light		Wala gitugot nga ≥0.2 mm ang gilapdon ug giladmon						5 gitugotan, ≤1 mm matag usa
Kontaminasyon sa Silicon Surface Pinaagi sa Taas nga Intensity		Wala
Pagputos		Multi-wafer Cassette O Single Wafer Container