2 pulgada 3 pulgada 4 pulgada InP epitaxial wafer substrate APD light detector para sa fiber optic communications o LiDAR

Mubo nga Deskripsyon:

Ang InP epitaxial substrate mao ang base nga materyal alang sa paggama sa APD, kasagaran usa ka semiconductor nga materyal nga gideposito sa substrate pinaagi sa epitaxial growth technology. Ang kasagarang gigamit nga mga materyales naglakip sa silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), ug uban pa, nga adunay maayo kaayong photoelectric properties. Ang APD photodetector usa ka espesyal nga klase sa photodetector nga naggamit sa avalanche photoelectric effect aron mapalambo ang detection signal. Kung ang mga photon moigo sa APD, ang mga electron-hole pairs mamugna. Ang pagpadali niining mga carrier ubos sa aksyon sa usa ka electric field mahimong mosangpot sa pagporma og dugang nga mga carrier, usa ka "avalanche effect", nga makapausbaw pag-ayo sa output current.
Ang mga epitaxial wafer nga gipatubo sa MOCvD mao ang sentro sa mga aplikasyon sa avalanche photodetection diode. Ang absorption layer giandam gamit ang U-InGaAs nga materyal nga adunay background doping nga <5E14. Ang functional layer mahimong mogamit sa InP o InAlAslayer. Ang InP epitaxial substrate mao ang batakang materyal alang sa paggama sa APD, nga nagtino sa performance sa optical detector. Ang APD photodetector usa ka klase sa high sensitivity photodetector, nga kaylap nga gigamit sa mga natad sa komunikasyon, sensing ug imaging.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Ang mga nag-unang bahin sa InP laser epitaxial sheet naglakip sa

1. Mga kinaiya sa band gap: Ang InP adunay pig-ot nga band gap, nga angay alang sa long-wave infrared light detection, labi na sa wavelength range nga 1.3μm hangtod 1.5μm.
2. Optical performance: Ang InP epitaxial film adunay maayong optical performance, sama sa luminous power ug external quantum efficiency sa lain-laing wavelengths. Pananglitan, sa 480 nm, ang luminous power ug external quantum efficiency kay 11.2% ug 98.8%, matag usa.
3. Dinamika sa Carrier: Ang mga InP nanoparticle (NP) nagpakita og double exponential decay behavior atol sa epitaxial growth. Ang paspas nga decay time gipahinungod sa carrier injection ngadto sa InGaAs layer, samtang ang hinay nga decay time may kalabutan sa carrier recombination sa InP NPs.
4. Mga kinaiya sa taas nga temperatura: Ang materyal sa quantum well nga AlGaInAs/InP adunay maayo kaayong performance sa taas nga temperatura, nga epektibong makapugong sa pagtulo sa sapa ug makapauswag sa mga kinaiya sa laser sa taas nga temperatura.
5. Proseso sa paggama: Ang mga InP epitaxial sheet kasagarang gipatubo sa substrate pinaagi sa molecular beam epitaxy (MBE) o metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) nga teknolohiya aron makab-ot ang taas nga kalidad nga mga pelikula.
Kini nga mga kinaiya naghimo sa InP laser epitaxial wafers nga adunay importanteng mga aplikasyon sa optical fiber communication, quantum key distribution ug remote optical detection.

Ang mga nag-unang aplikasyon sa InP laser epitaxial tablets naglakip sa

1. Photonics: Ang mga InP laser ug detector kay kaylap nga gigamit sa optical communications, data centers, infrared imaging, biometrics, 3D sensing ug LiDAR.

2. Telekomunikasyon: Ang mga materyales nga InP adunay importanteng aplikasyon sa dakong integrasyon sa mga silicon-based long-wavelength laser, ilabina sa optical fiber communications.

3. Mga infrared laser: Mga aplikasyon sa InP-based quantum well lasers sa mid-infrared band (sama sa 4-38 microns), lakip ang gas sensing, explosive detection ug infrared imaging.

4. Silicon photonics: Pinaagi sa heterogeneous integration technology, ang InP laser gibalhin ngadto sa usa ka silicon-based substrate aron maporma ang usa ka multifunctional silicon optoelectronic integration platform.

5. Mga laser nga taas og performance: Ang mga materyales nga InP gigamit sa paghimo og mga laser nga taas og performance, sama sa mga laser nga transistor sa InGaAsP-InP nga adunay wavelength nga 1.5 microns.

Ang XKH nagtanyag og customized nga InP epitaxial wafers nga adunay lain-laing istruktura ug gibag-on, nga naglangkob sa lain-laing mga aplikasyon sama sa optical communications, sensors, 4G/5G base stations, ug uban pa. Ang mga produkto sa XKH gihimo gamit ang abante nga MOCVD equipment aron masiguro ang taas nga performance ug kasaligan. Sa natad sa logistics, ang XKH adunay halapad nga internasyonal nga source channels, flexible nga makadumala sa gidaghanon sa mga order, ug makahatag og value-added services sama sa thinning, segmentation, ug uban pa. Ang episyente nga proseso sa paghatud nagsiguro sa on-time nga paghatud ug makatubag sa mga kinahanglanon sa kustomer alang sa kalidad ug oras sa paghatud. Human sa pag-abot, ang mga kustomer makakuha og komprehensibo nga teknikal nga suporta ug after-sales service aron masiguro nga ang produkto magamit nga hapsay.