Silicon Carbide Cantilever Paddle (SiC Cantilever Paddle)

Mubo nga Deskripsyon:

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Detalyado nga Dayagram

Kinatibuk-ang Pagtan-aw sa Produkto

Ang silicon carbide cantilever paddle, nga ginama gikan sa high-performance reaction-bonded silicon carbide (RBSiC), usa ka kritikal nga sangkap nga gigamit sa wafer loading ug handling systems para sa semiconductor ug photovoltaic applications.
Kon itandi sa tradisyonal nga quartz o graphite paddles, ang SiC cantilever paddles nagtanyag og superior mechanical strength, taas nga katig-a, ubos nga thermal expansion, ug talagsaong corrosion resistance. Nagmintinar kini og maayo kaayong structural stability ubos sa taas nga temperatura, nga nakab-ot ang estrikto nga mga kinahanglanon sa dagkong wafer sizes, taas nga service life, ug ultra-low contamination.

Uban sa padayon nga pag-uswag sa mga proseso sa semiconductor padulong sa mas dagkong diametro sa wafer, mas taas nga throughput, ug mas limpyo nga mga palibot sa pagproseso, ang SiC cantilever paddles hinay-hinay nga mipuli sa naandan nga mga materyales, nga nahimong gipalabi nga kapilian alang sa mga diffusion furnace, LPCVD, ug mga may kalabutan nga kagamitan sa taas nga temperatura.

Mga Kinaiya sa Produkto

Maayo Kaayo nga Kalig-on sa Taas nga Temperatura
- Kasaligan nga mogana sa 1000–1300℃ nga walay pagkausab sa porma.
- Maximum nga temperatura sa serbisyo hangtod sa 1380℃.
Taas nga Kapasidad sa Pagdala sa Karga
- Kusog sa pagliko hangtod sa 250–280 MPa, mas taas kay sa mga quartz paddle.
- Makahimo sa pagdumala sa mga wafer nga dagkong diyametro (300 mm pataas).
Gipalugway nga Kinabuhi sa Serbisyo ug Ubos nga Pagmentinar
- Ubos nga thermal expansion coefficient (4.5 × 10⁻⁶ K⁻¹), haom kaayo sa mga materyales sa LPCVD coating.
- Makapakunhod sa mga liki ug pagpanit nga gipahinabo sa stress, nga makapalugway pag-ayo sa mga siklo sa pagpanglimpyo ug pagmentinar.
Pagsukol sa Kaagnasan ug Kaputli
- Maayo kaayo nga resistensya sa mga asido ug alkali.
- Dagkong microstructure nga adunay bukas nga porosity <0.1%, nga nagpamenos sa pagmugna og partikulo ug pagpagawas sa hugaw.
Disenyo nga Nahiuyon sa Awtomasyon
- Lig-on nga cross-sectional geometry nga adunay taas nga katukma sa dimensyon.
- Walay putol-putol nga pag-integrate sa mga robotic wafer loading ug unloading system, nga nagpaposible sa hingpit nga automated nga produksyon.

Pisikal ug Kemikal nga mga Kabtangan

Butang	Yunit	Datos
Pinakamataas nga Temperatura sa Serbisyo	℃	1380
Densidad	g/cm³	3.04 – 3.08
Bukas nga Porosidad	%	< 0.1
Kusog sa Pagliko	MPa	250 (20℃), 280 (1200℃)
Modulus sa Elastisidad	GPa	330 (20℃), 300 (1200℃)
Konduktibidad sa Init	W/m·K	45 (1200℃)
Koepisyent sa Pagpalapad sa Init	K⁻¹×10⁻⁶	4.5
Katig-a sa Vickers	HV2	≥ 2100
Pagsukol sa Asido/Alkalina	-	Maayo kaayo

Mga sumbanan nga gitas-on:2378 mm, 2550 mm, 2660 mm
Anaa ang custom nga mga dimensyon kon hangyoon

Mga Aplikasyon

Industriya sa Semikonduktor
- LPCVD (Pagdeposito sa Kemikal nga Singaw nga Ubos ang Presyon)
- Mga proseso sa pagsabwag (phosphorus, boron, ug uban pa)
- Oksihenasyon sa kainit
Industriya sa Photovoltaic
- Pagsabwag ug pagtabon sa polysilicon ug monocrystalline wafer
- Pag-annealing ug passivation sa taas nga temperatura
Ubang mga Natad
- Mga palibot nga makadaot sa taas nga temperatura
- Mga sistema sa pagdumala sa wafer nga adunay katukma nga nanginahanglan og taas nga kinabuhi sa serbisyo ug ubos nga kontaminasyon

Mga Benepisyo sa Kustomer

Nakunhuran nga Gasto sa Operasyon– Mas taas ang kinabuhi kon itandi sa mga quartz paddle, nga nagpamenos sa downtime ug frequency sa pag-ilis.
Mas Taas nga Abot– Ang hilabihan ka ubos nga kontaminasyon nagsiguro sa kalimpyo sa ibabaw sa wafer ug nagpamenos sa mga rate sa depekto.
Pamatuod sa Umaabot– Nahiuyon sa dagkong mga gidak-on sa wafer ug sa sunod nga henerasyon nga mga proseso sa semiconductor.
Gipauswag nga Produktibidad– Bug-os nga nahiuyon sa mga sistema sa robotic automation, nga nagsuporta sa taas nga gidaghanon sa paggama.

Mga Kanunayng Pangutana (FAQ) – Silicon Carbide Cantilever Paddle

Q1: Unsa ang usa ka silicon carbide cantilever paddle?
A: Kini usa ka wafer support ug handling component nga hinimo sa reaction-bonded silicon carbide (RBSiC). Kini kaylap nga gigamit sa diffusion furnaces, LPCVD, ug uban pang high-temperature semiconductor ug photovoltaic nga mga proseso.

P2: Ngano nga pilion ang SiC kaysa mga quartz paddles?
A: Kon itandi sa mga quartz paddle, ang SiC paddles nagtanyag og:

Mas taas nga mekanikal nga kusog ug kapasidad sa pagdala sa karga
Mas maayong kalig-on sa kainit sa temperatura hangtod sa 1380℃
Mas taas nga kinabuhi sa serbisyo ug mas gamay nga mga siklo sa pagmentinar
Mas ubos nga risgo sa pagmugna og partikulo ug kontaminasyon
Pagkaangay sa mas dagkong mga gidak-on sa wafer (300 mm pataas)

Q3: Unsa nga mga gidak-on sa wafer ang masuportahan sa SiC cantilever paddle?
A: Adunay mga standard nga paddle nga magamit para sa 2378 mm, 2550 mm, ug 2660 mm nga mga sistema sa hurno. Adunay mga customized nga dimensyon nga magamit aron masuportahan ang mga wafer hangtod sa 300 mm ug pataas.

Mahitungod Kanamo

Ang XKH espesyalista sa high-tech nga pagpalambo, produksiyon, ug pagbaligya sa espesyal nga optical glass ug bag-ong mga materyales nga kristal. Ang among mga produkto nagsilbi sa optical electronics, consumer electronics, ug militar. Nagtanyag kami og Sapphire optical components, mobile phone lens covers, Ceramics, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ug semiconductor crystal wafers. Uban sa hanas nga kahanas ug pinakabag-o nga kagamitan, kami maayo sa non-standard nga pagproseso sa produkto, nga nagtumong nga mahimong usa ka nanguna nga optoelectronic materials high-tech nga negosyo.