SiC
-
Silicon Carbide (SiC) Usa ka Kristal nga Substrate – 10×10mm nga Wafer
-
4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer para sa MOS o SBD
-
SiC Epitaxial Wafer para sa mga Power Device – 4H-SiC, N-type, Ubos nga Densidad sa Depekto
-
4H-N nga Tipo sa SiC Epitaxial Wafer Taas nga Boltahe Taas nga Frequency
-
3 ka pulgada nga Taas nga Kaputli (Wala Gi-dope) nga Silicon Carbide Wafers nga semi-Insulating Sic Substrates (HPSl)
-
4H-N 8 pulgada nga SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Research grade nga may gibag-on nga 500um
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Research production Dummy grade Diameter150mm Silicon carbide substrate
-
Wafer nga giputos sa Au, wafer nga sapiro, wafer nga silikon, wafer nga SiC, 2 pulgada 4 pulgada 6 pulgada, gibag-on nga giputos sa bulawan 10 nm 50 nm 100 nm
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
2 pulgada nga Sic silicon carbide substrate 6H-N Type 0.33mm 0.43mm double-sided polishing Taas nga thermal conductivity ubos nga konsumo sa kuryente
-
SiC substrate 3 pulgada 350um nga gibag-on HPSI type Prime Grade Dummy grade
-
Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N type Dummy/prime grade nga gibag-on mahimong ipasibo