Patterned Sapphire Substrate PSS 2inch 4inch 6inch ICP dry etching mahimong gamiton alang sa LED chips
Kinaiya nga kinaiya
1. Mga kinaiya sa materyal: Ang materyal nga substrate usa ka kristal nga sapiro (Al₂O₃), nga adunay taas nga katig-a, taas nga pagsukol sa kainit ug kalig-on sa kemikal.
2. Surface structure: Ang nawong naporma pinaagi sa photolithography ug etching ngadto sa periodic micro-nano structures, sama sa cones, pyramids o hexagonal arrays.
3. Optical performance: Pinaagi sa surface patterning design, ang kinatibuk-ang pagpamalandong sa kahayag sa interface mikunhod, ug ang kahayag extraction efficiency miuswag.
4. Thermal performance: Ang sapphire substrate adunay maayo kaayo nga thermal conductivity, nga angay alang sa high power LED nga mga aplikasyon.
5. Mga detalye sa gidak-on: Ang kasagarang gidak-on mao ang 2 ka pulgada (50.8mm), 4 ka pulgada (100mm) ug 6 ka pulgada (150mm).
Panguna nga mga lugar sa aplikasyon
1. Paggama sa LED:
Gipauswag nga kahusayan sa pagkuha sa kahayag: Ang PSS nagpamenos sa pagkawala sa kahayag pinaagi sa disenyo sa pattern, nga labi nga nagpauswag sa kahayag sa LED ug kahayag nga kahusayan.
Gipauswag nga kalidad sa pagtubo sa epitaxial: Ang gihulma nga istruktura naghatag usa ka labi ka maayo nga base sa pagtubo alang sa mga layer sa epitaxial sa GaN ug gipauswag ang pasundayag sa LED.
2. Laser Diode (LD):
Taas nga gahum sa laser: Ang taas nga thermal conductivity ug kalig-on sa PSS angayan alang sa high power laser diodes, pagpaayo sa performance sa heat dissipation ug kasaligan.
Ubos nga threshold nga kasamtangan: Pag-optimize sa pagtubo sa epitaxial, pagpakunhod sa agianan sa agianan sa laser diode, ug pagpauswag sa kahusayan.
3. Photodetector:
Taas nga pagkasensitibo: Ang taas nga transmission sa kahayag ug ubos nga depekto nga density sa PSS nagpauswag sa pagkasensitibo ug katulin sa pagtubag sa photodetector.
Wide spectral nga tubag: angay alang sa photoelectric detection sa ultraviolet ngadto sa makita nga range.
4. Gahum nga elektroniko:
Taas nga boltahe nga pagsukol: Ang taas nga insulasyon sa Sapphire ug kalig-on sa kainit angay alang sa taas nga boltahe nga mga aparato sa kuryente.
Episyente nga pagwagtang sa kainit: Ang taas nga thermal conductivity nagpauswag sa performance sa pagwagtang sa kainit sa mga power device ug nagpalugway sa serbisyo sa kinabuhi.
5. Mga kagamitan sa Rf:
High frequency performance: Ang ubos nga dielectric loss ug taas nga thermal stability sa PSS angayan alang sa high frequency RF device.
Ubos nga kasaba: Taas nga patag ug ubos nga densidad sa depekto makapakunhod sa kasaba sa device ug makapauswag sa kalidad sa signal.
6. Mga biosensor:
Taas nga pagkasensitibo detection: Ang taas nga kahayag transmission ug kemikal nga kalig-on sa PSS mao ang angay alang sa taas nga sensitivity biosensors.
Biocompatibility: Ang biocompatibility sa sapiro naghimo niini nga angay alang sa medikal ug biodetection nga mga aplikasyon.
Giporma nga sapphire substrate (PSS) nga adunay GaN epitaxial nga materyal:
Ang patterned sapphire substrate (PSS) usa ka sulundon nga substrate alang sa GaN (gallium nitride) nga pagtubo sa epitaxial. Ang lattice constant sa sapphire duol sa GaN, nga makapakunhod sa lattice mismatches ug mga depekto sa epitaxial nga pagtubo. Ang micro-nano nga estraktura sa PSS ibabaw dili lamang sa pagpalambo sa kahayag extraction efficiency, apan usab sa pagpalambo sa kristal nga kalidad sa GaN epitaxial layer, sa ingon pagpalambo sa performance ug kasaligan sa LED.
Teknikal nga mga parametro
| butang | Giporma nga Sapphire Substrate(2~6pulgada) | ||
| Diametro | 50.8 ± 0.1 mm | 100.0 ± 0.2 mm | 150.0 ± 0.3 mm |
| Gibag-on | 430 ± 25μm | 650 ± 25μm | 1000 ± 25μm |
| Orientasyon sa nawong | C-plane (0001) off-angle padulong sa M-axis (10-10) 0.2 ± 0.1° | ||
| C-plane (0001) off-angle paingon sa A-axis (11-20) 0 ± 0.1° | |||
| Panguna nga Flat Orientation | A-Eroplano (11-20) ± 1.0° | ||
| Panguna nga Patag nga Gitas-on | 16.0 ± 1.0 mm | 30.0 ± 1.0 mm | 47.5 ± 2.0 mm |
| R-Eroplano | Alas 9 | ||
| Front Surface Finish | Giporma | ||
| Paghuman sa Likod nga Ibabaw | SSP: Maayo nga yuta, Ra = 0.8-1.2um; DSP: Epi-pinasinaw, Ra<0.3nm | ||
| Laser Mark | Sa likod nga bahin | ||
| TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤20μm |
| BOW | ≤10μm | ≤15μm | ≤25μm |
| WARP | ≤12μm | ≤20μm | ≤30μm |
| Eksklusyon sa Edge | ≤2 mm | ||
| Pagtino sa Sumbanan | Porma nga Istruktura | Dome, Cone, Pyramid | |
| Ang gitas-on sa sumbanan | 1.6~1.8μm | ||
| Sumbanan Diametro | 2.75~2.85μm | ||
| Sumbanan nga Luna | 0.1~0.3μm | ||
Ang XKH nag-espesyalisar sa paghatag og taas nga kalidad, customized patterned sapphire substrates (PSS) nga adunay teknikal nga suporta ug after-sales nga serbisyo aron matabangan ang mga kustomer nga makab-ot ang episyente nga kabag-ohan sa natad sa LED, display ug optoelectronics.
1. Taas nga kalidad nga suplay sa PSS: Mga pattern nga sapphire substrates sa lain-laing mga gidak-on (2 ", 4", 6 ") aron matubag ang mga panginahanglan sa LED, display ug optoelectronic nga mga himan.
2. Customized design: Ipasibo ang surface micro-nano structure (sama sa cone, pyramid o hexagonal array) sumala sa panginahanglan sa customer aron ma-optimize ang light extraction efficiency.
3. Teknikal nga suporta: Paghatag ug PSS nga disenyo sa aplikasyon, pag-optimize sa proseso ug teknikal nga konsultasyon aron matabangan ang mga kustomer nga mapauswag ang performance sa produkto.
4. Epitaxial growth support: Ang PSS nga gipares sa GaN epitaxial nga materyal gihatag aron maseguro ang taas nga kalidad nga epitaxial layer nga pagtubo.
5. Pagsulay ug sertipikasyon: Paghatag ug taho sa inspeksyon sa kalidad sa PSS aron maseguro nga ang mga produkto makaabot sa mga sumbanan sa industriya.
Detalyadong Diagram
