Ang Patterned Sapphire Substrate PSS 2inch 4inch 6inch ICP dry etching magamit para sa mga LED chips.
Kinauyokan nga kinaiya
1. Mga kinaiya sa materyal: Ang materyal sa substrate usa ka single crystal sapphire (Al₂O₃), nga adunay taas nga katig-a, taas nga resistensya sa kainit ug kemikal nga kalig-on.
2. Istruktura sa nawong: Ang nawong giporma pinaagi sa photolithography ug pag-ukit ngadto sa mga periodic micro-nano nga istruktura, sama sa mga cone, pyramid o hexagonal arrays.
3. Optical performance: Pinaagi sa surface patterning design, ang kinatibuk-ang repleksyon sa kahayag sa interface mokunhod, ug ang efficiency sa pagkuha sa kahayag mouswag.
4. Pagganap nga dili makadaot sa kainit: Ang sapiro nga substrate adunay maayo kaayong thermal conductivity, nga angay alang sa mga aplikasyon nga adunay taas nga gahum nga LED.
5. Mga detalye sa gidak-on: Ang kasagarang mga gidak-on mao ang 2 ka pulgada (50.8mm), 4 ka pulgada (100mm) ug 6 ka pulgada (150mm).
Pangunang mga lugar sa aplikasyon
1. Paggama sa LED:
Gipauswag nga kahusayan sa pagkuha sa kahayag: Ang PSS nagpamenos sa pagkawala sa kahayag pinaagi sa disenyo sa patterning, nga nagpauswag pag-ayo sa kahayag sa LED ug kahusayan sa pagdan-ag.
Gipauswag nga kalidad sa pagtubo sa epitaxial: Ang istruktura nga adunay disenyo naghatag ug mas maayong basehan sa pagtubo para sa mga epitaxial layer sa GaN ug nagpauswag sa performance sa LED.
2. Laser Diode (LD):
Mga laser nga taas og gahum: Ang taas nga thermal conductivity ug kalig-on sa PSS angay alang sa mga diode nga taas og gahum sa laser, nga nagpauswag sa performance ug kasaligan sa heat dissipation.
Ubos nga threshold current: I-optimize ang epitaxial growth, pakunhuran ang threshold current sa laser diode, ug pauswaga ang efficiency.
3. Detektor sa Litrato:
Taas nga pagkasensitibo: Ang taas nga transmission sa kahayag ug ubos nga defect density sa PSS nagpauswag sa pagkasensitibo ug katulin sa pagtubag sa photodetector.
Halapad nga tubag sa spectral: angay alang sa photoelectric detection sa ultraviolet hangtod sa makita nga range.
4. Elektroniko sa kuryente:
Taas nga resistensya sa boltahe: Ang taas nga insulasyon ug kalig-on sa kainit sa Sapphire angay alang sa mga aparato nga adunay taas nga boltahe nga kuryente.
Epektibo nga pagpawala sa kainit: Ang taas nga thermal conductivity nagpauswag sa performance sa mga power device sa pagpawala sa kainit ug nagpalugway sa kinabuhi sa serbisyo.
5. Mga aparato sa Rf:
Taas nga frequency performance: Ang ubos nga dielectric loss ug taas nga thermal stability sa PSS angayan para sa mga high frequency RF device.
Ubos nga kasaba: Ang taas nga pagkapatag ug ubos nga densidad sa depekto makapakunhod sa kasaba sa device ug makapaayo sa kalidad sa signal.
6. Mga Biosensor:
Taas nga pagkasensitibo sa pag-detect: Ang taas nga transmission sa kahayag ug kemikal nga kalig-on sa PSS angay alang sa mga biosensor nga taas og pagkasensitibo.
Biocompatibility: Ang biocompatibility sa sapiro naghimo niini nga angay alang sa medikal ug biodetection nga mga aplikasyon.
Gidisenyo nga substrate nga sapiro (PSS) nga adunay materyal nga epitaxial nga GaN:
Ang Patterned sapphire substrate (PSS) usa ka sulundon nga substrate para sa GaN (gallium nitride) epitaxial growth. Ang lattice constant sa sapphire duol sa GaN, nga makapakunhod sa lattice mismatches ug mga depekto sa epitaxial growth. Ang micro-nano structure sa PSS surface dili lang makapaayo sa light extraction efficiency, apan makapaayo usab sa crystal quality sa GaN epitaxial layer, sa ingon makapaayo sa performance ug reliability sa LED.
Teknikal nga mga parametro
| Butang | Substrate nga Sapphire nga Gidisenyo (2~6 ka pulgada) | ||
| Diametro | 50.8 ± 0.1 mm | 100.0 ± 0.2 mm | 150.0 ± 0.3 mm |
| Gibag-on | 430 ± 25μm | 650 ± 25μm | 1000 ± 25μm |
| Oryentasyon sa Ibabaw | C-plane (0001) dili anggulo padulong sa M-axis (10-10) 0.2 ± 0.1° | ||
| C-plane (0001) dili anggulo padulong sa A-axis (11-20) 0 ± 0.1° | |||
| Panguna nga Patag nga Oryentasyon | A-Plane (11-20) ± 1.0° | ||
| Pangunang Patag nga Gitas-on | 16.0 ± 1.0 mm | 30.0 ± 1.0 mm | 47.5 ± 2.0 mm |
| R-Plane | alas 9 | ||
| Paghuman sa Atubangan nga Ibabaw | Gidisenyo | ||
| Paghuman sa Likod nga Ibabaw | SSP: Pinong pagkagaling, Ra=0.8-1.2um; DSP: Epi-polish, Ra<0.3nm | ||
| Marka sa Laser | Likod nga bahin | ||
| TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤20μm |
| PAN | ≤10μm | ≤15μm | ≤25μm |
| WARP | ≤12μm | ≤20μm | ≤30μm |
| Pagtangtang sa Ngilit | ≤2 mm | ||
| Espisipikasyon sa Sumbanan | Istruktura sa Porma | Simboryo, Kono, Piramide | |
| Gitas-on sa Sumbanan | 1.6~1.8μm | ||
| Diametro sa Sumbanan | 2.75~2.85μm | ||
| Espasyo sa Sumbanan | 0.1~0.3μm | ||
Ang XKH espesyalista sa paghatag og taas nga kalidad, gipahaom nga patterned sapphire substrates (PSS) nga adunay teknikal nga suporta ug serbisyo pagkahuman sa pagbaligya aron matabangan ang mga kustomer nga makab-ot ang episyente nga inobasyon sa natad sa LED, display ug optoelectronics.
1. Taas nga kalidad nga suplay sa PSS: Mga substrate nga may disenyo nga sapiro sa lain-laing gidak-on (2", 4", 6") aron matubag ang mga panginahanglan sa mga LED, display ug optoelectronic device.
2. Gidisenyo nga gipahaom: Ipahaom ang micro-nano nga istruktura sa ibabaw (sama sa cone, pyramid o hexagonal array) sumala sa panginahanglan sa kustomer aron ma-optimize ang kahusayan sa pagkuha sa kahayag.
3. Teknikal nga suporta: Paghatag og disenyo sa aplikasyon sa PSS, pag-optimize sa proseso ug teknikal nga konsultasyon aron matabangan ang mga kustomer nga mapaayo ang performance sa produkto.
4. Suporta sa pagtubo sa epitaxial: Ang PSS nga gipares sa GaN epitaxial nga materyal gihatag aron masiguro ang taas nga kalidad nga pagtubo sa epitaxial layer.
5. Pagsulay ug sertipikasyon: Paghatag og report sa inspeksyon sa kalidad sa PSS aron masiguro nga ang mga produkto nakakab-ot sa mga sumbanan sa industriya.
Detalyado nga Dayagram
