Sa pagkakaron, ang among kompaniya makapadayon sa paghatag ug gamay nga batch sa 8inchN type nga SiC wafers, kung naa kay sample nga panginahanglan, palihog ayaw kog kontaka. Kami adunay pipila ka mga sample nga wafer nga andam ipadala.
Sa natad sa mga materyales sa semiconductor, ang kompanya nakahimo usa ka dakong kalampusan sa panukiduki ug pag-uswag sa dagkong mga kristal nga SiC. Pinaagi sa paggamit sa kaugalingon nga mga kristal sa binhi pagkahuman sa daghang mga hugna sa pagpadako sa diyametro, ang kompanya malampuson nga nagpadako sa 8-pulgada nga N-type nga mga kristal nga SiC, nga nagsulbad sa lisud nga mga problema sama sa dili patas nga natad sa temperatura, pag-crack sa kristal ug pag-apod-apod sa hilaw nga materyal sa gas sa proseso sa pagtubo sa 8-pulgada nga mga kristal nga SIC, ug gipadali ang pagtubo sa dagkong gidak-on nga mga kristal nga SIC ug ang awtonomiya ug kontrolado nga teknolohiya sa pagproseso. Gipauswag pag-ayo ang kinauyokan nga kompetisyon sa kompanya sa industriya nga substrate sa SiC nga usa ka kristal. Sa samang higayon, ang kompanya aktibong nagpasiugda sa panagtigum, panagtingub sa teknolohiya ug sa proseso sa dako nga gidak-on silicon carbide substrate pagpangandam eksperimento linya, naglig-on sa teknikal nga exchange ug industriyal nga kolaborasyon sa upstream ug downstream kaumahan, ug nakigtambayayong sa mga kustomer sa kanunay iterate produkto performance, ug hiniusang. nagpasiugda sa dagan sa industriyal nga paggamit sa silicon carbide nga mga materyales.
| 8inch N-type nga SiC DSP Specs | |||||
| Numero | butang | Unit | Produksyon | Pagpanukiduki | Dummy |
| 1. Mga Parametro | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasyon sa nawong | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parametro sa kuryente | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-type nga Nitrogen | n-type nga Nitrogen | n-type nga Nitrogen |
| 2.2 | resistivity | ohm · cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Parametro sa mekanikal | |||||
| 3.1 | diametro | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | gibag-on | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasyon sa notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Notch Depth | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Pana | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Estruktura | |||||
| 4.1 | density sa micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal nga sulod | mga atomo/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Positibo nga kalidad | |||||
| 5.1 | atubangan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | paghuman sa ibabaw | -- | Si-nawong CMP | Si-nawong CMP | Si-nawong CMP |
| 5.3 | partikulo | ea/wafer | ≤100(gidak-on≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | scratch | ea/wafer | ≤5, Total Length≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Edge mga chips/indents/cracks/stains/contamination | -- | Wala | Wala | NA |
| 5.6 | Polytype nga mga lugar | -- | Wala | Lugar ≤10% | Lugar ≤30% |
| 5.7 | pagmarka sa atubangan | -- | Wala | Wala | Wala |
| 6. Balik nga kalidad | |||||
| 6.1 | paghuman sa likod | -- | C-nawong MP | C-nawong MP | C-nawong MP |
| 6.2 | scratch | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Mga depekto sa likod nga bahin mga chips/indents | -- | Wala | Wala | NA |
| 6.4 | Pagkagahi sa likod | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Pagmarka sa likod | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Sidsid | |||||
| 7.1 | ngilit | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Pakete | |||||
| 8.1 | pagputos | -- | Epi-andam nga adunay vacuum pagputos | Epi-andam nga adunay vacuum pagputos | Epi-andam nga adunay vacuum pagputos |
| 8.2 | pagputos | -- | Daghang-wafer pagputos sa cassette | Daghang-wafer pagputos sa cassette | Daghang-wafer pagputos sa cassette |
Oras sa pag-post: Abr-18-2023