LiTaO3 Wafer 2pulgada-8pulgada 10x10x0.5 mm 1sp 2sp para sa 5G/6G nga Komunikasyon

Mubo nga Deskripsyon:

Ang LiTaO3 Wafer (lithium tantalate wafer), usa ka importanteng materyal sa mga third-generation semiconductors ug optoelectronics, naggamit sa taas nga Curie temperature (610°C), lapad nga transparency range (0.4–5.0 μm), superior piezoelectric coefficient (d33 > 1,500 pC/N), ug ubos nga dielectric loss (tanδ < 2%) aron mabag-o ang 5G communications, photonic integration, ug quantum devices. Gamit ang mga advanced fabrication technologies sama sa physical vapor transport (PVT) ug chemical vapor deposition (CVD), ang XKH naghatag og X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ug periodically poled (PPLT) wafers sa 2–8-inch nga format, nga adunay surface roughness (Ra) <0.5 nm ug micropipe density <0.1 cm⁻². Ang among mga serbisyo naglangkob sa Fe doping, chemical reduction, ug Smart-Cut heterogeneous integration, nga nagtubag sa high-performance optical filters, infrared detectors, ug quantum light sources. Kini nga materyal nagdala og mga dakong kalamboan sa miniaturization, high-frequency operation, ug thermal stability, nga nagpadali sa domestic substitution sa mga kritikal nga teknolohiya.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Teknikal nga mga parametro

Ngalan	LiTaO3 nga grado sa optika	Lebel sa sound table nga LiTaO3
Aksyal	Z cut + / - 0.2 °	36 ° Y cut / 42 ° Y cut / X cut (+ / - 0.2°)
Diametro	76.2mm + / - 0.3mm/ 100±0.2mm	76.2mm + /-0.3mm 100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Datum nga eroplano	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm 32mm + /-2mm
Gibag-on	500um + /-5mm 1000um + /-5mm	500um + /-20mm 350um + /-20mm
TTV	≤ 10um	≤ 10um
Temperatura sa Curie	605 °C + / - 0.7 °C (pamaagi sa DTA)	605 °C + / -3 °C (pamaagi sa DTA
Kalidad sa nawong	Dobleng kilid nga pagpasinaw	Dobleng kilid nga pagpasinaw
Mga gisi nga kilid	paglingin sa ngilit	paglingin sa ngilit

Pangunang mga Kinaiya

1. Pagganap sa Elektrisidad ug Optikal
· Electro-Optic Coefficient: ang r33 moabot sa 30 pm/V (X-cut), 1.5× nga mas taas kay sa LiNbO3, nga makapahimo sa ultra-wideband electro-optic modulation (>40 GHz bandwidth).
· Halapad nga Tubag sa Spectral: Sakup sa transmission nga 0.4–5.0 μm (8 mm ang gibag-on), nga adunay ultraviolet absorption edge nga ubos ra sa 280 nm, sulundon para sa mga UV laser ug quantum dot device.
· Ubos nga Pyroelectric Coefficient: dP/dT = 3.5×10⁻⁴ C/(m²·K), nga nagsiguro sa kalig-on sa mga high-temperature infrared sensor.

2. Mga Kinaiya sa Init ug Mekanikal
· Taas nga Thermal Conductivity: 4.6 W/m·K (X-cut), upat ka pilo kaysa sa quartz, nga makasustiner sa -200–500°C thermal cycling.
· Ubos nga Thermal Expansion Coefficient: CTE = 4.1×10⁻⁶/K (25–1000°C), compatible sa silicon packaging aron maminusan ang thermal stress.
3. Pagkontrol sa Depekto ug Katukma sa Pagproseso
· Densidad sa Mikropipe: <0.1 cm⁻² (8-pulgada nga mga wafer), densidad sa dislokasyon <500 cm⁻² (gipamatud-an pinaagi sa KOH etching).
· Kalidad sa Nawong: Gipasinaw sa CMP ngadto sa Ra <0.5 nm, nga nakab-ot ang mga kinahanglanon sa pagkapatag nga grado sa EUV lithography.

Mga Pangunang Aplikasyon

Dominyo	Mga Senaryo sa Aplikasyon	Teknikal nga mga Benepisyo
Komunikasyon sa Optika	100G/400G DWDM lasers, silicon photonics hybrid modules	Ang lapad nga spectral transmission sa LiTaO3 wafer ug ang ubos nga waveguide loss (α <0.1 dB/cm) nagtugot sa C-band expansion.
5G/6G nga Komunikasyon	Mga filter sa SAW (1.8–3.5 GHz), mga filter sa BAW-SMR	Ang 42°Y-cut wafers nakaabot sa Kt² >15%, nga naghatag og ubos nga insertion loss (<1.5 dB) ug taas nga roll-off (>30 dB).
Mga Teknolohiya sa Quantum	Mga detektor sa single-photon, mga tinubdan sa parametric down-conversion	Ang taas nga nonlinear coefficient (χ(2)=40 pm/V) ug ubos nga dark count rate (<100 counts/s) nagpalambo sa quantum fidelity.
Pag-ila sa Industriya	Mga sensor sa presyur sa taas nga temperatura, mga transformer sa kuryente	Ang piezoelectric response sa LiTaO3 wafer (g33 >20 mV/m) ug ang high-temperature tolerance (>400°C) haom sa grabeng mga palibot.

Mga Serbisyo sa XKH

1. Paggama sa Custom Wafer

· Gidak-on ug Pagputol: 2–8-pulgada nga mga wafer nga adunay X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ug gipahaom nga angular cuts (±0.01° tolerance).

· Pagkontrol sa Doping: Pag-doping sa Fe, Mg pinaagi sa pamaagi sa Czochralski (sakup sa konsentrasyon 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) aron ma-optimize ang mga electro-optic coefficients ug thermal stability.

2. Abansado nga mga Teknolohiya sa Proseso
'
· Periodic Poling (PPLT): Teknolohiya sa Smart-Cut para sa mga LTOI wafer, nga nakab-ot ang ±10 nm domain period precision ug quasi-phase-matched (QPM) frequency conversion.

· Heterogeneous Integration: Si-based LiTaO3 composite wafers (POI) nga adunay thickness control (300–600 nm) ug thermal conductivity hangtod sa 8.78 W/m·K para sa high-frequency SAW filters.

3. Mga Sistema sa Pagdumala sa Kalidad
'
· End-to-End nga Pagsulay: Raman spectroscopy (polytype verification), XRD (crystallinity), AFM (surface morphology), ug optical uniformity testing (Δn <5×10⁻⁵).

4. Suporta sa Tibuok Kalibutanong Kadena sa Suplay
'
· Kapasidad sa Produksyon: Binulan nga output >5,000 ka wafer (8-pulgada: 70%), nga adunay 48-oras nga emerhensya nga paghatud.

· Logistics Network: Sakop sa Europe, North America, ug Asia-Pacific pinaagi sa air/sea freight nga adunay temperature-controlled packaging.