GaAs laser epitaxial wafer 4 pulgada 6 pulgada VCSEL bertikal nga lungag nawong emission laser wavelength 940nm single junction

GaAs laser epitaxial wafer 4 pulgada 6 pulgada VCSEL bertikal nga lungag ibabaw emission laser wavelength 940nm single junction Featured Image

Mubo nga Deskripsyon:

Gitino sa kustomer nga disenyo Gigabit Ethernet laser arrays alang sa taas nga pagkaparehas 6-pulgada nga mga wafer 850/940nm center optical wavelength oxide limitado o proton-implanted VCSEL digital data link nga komunikasyon, laser mouse electrical ug optical nga mga kinaiya ubos ang pagkasensitibo sa temperatura. Ang VCSEL-940 Single Junction kay usa ka bertikal nga lungag sa ibabaw nga nagpagawas sa laser (VCSEL) nga adunay wavelength sa emisyon nga kasagaran mga 940 nanometer. Ang maong mga laser kasagaran naglangkob sa usa ka quantum well ug makahimo sa paghatag og episyente nga kahayag nga gipagawas. Ang wavelength sa 940 nanometers naghimo niini sa infrared spectrum, nga angay alang sa lain-laing mga aplikasyon. Kon itandi sa ubang mga matang sa lasers, VCsels adunay mas taas nga electro-optical pagkakabig efficiency. Ang pakete sa VCSEL gamay ra ug dali nga i-integrate. Ang lapad nga aplikasyon sa VCSEL-940 naghimo niini nga usa ka importante nga papel sa modernong teknolohiya.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang nag-unang mga kinaiya sa GaAs laser epitaxial sheet naglakip

1. Single-junction nga estraktura: Kini nga laser kasagaran gilangkuban sa usa ka quantum well, nga makahatag og episyente nga pagpagawas sa kahayag.
2. Wavelength: Ang wavelength sa 940 nm naghimo niini sa infrared spectrum range, nga angay alang sa lain-laing mga aplikasyon.
3. Taas nga kahusayan: Kon itandi sa ubang mga matang sa laser, ang VCSEL adunay taas nga electro-optical conversion efficiency.
4. Compactness: Ang VCSEL nga pakete medyo gamay ug sayon nga i-integrate.

5. Ubos nga threshold nga kasamtangan ug taas nga kahusayan: Ang nalubong nga heterostructure laser nagpakita sa hilabihan ka ubos nga lasing threshold nga densidad sa kasamtangan (eg 4mA/cm²) ug taas nga external differential quantum efficiency (eg 36%), nga adunay linear output nga gahum nga labaw sa 15mW.
6. Waveguide mode stability: Ang gilubong nga heterostructure laser adunay bentaha sa waveguide mode stability tungod sa refractive index guided waveguide nga mekanismo ug pig-ot nga active strip width (mga 2μm).
7. Maayo kaayo nga photoelectric conversion efficiency: Pinaagi sa pag-optimize sa epitaxial growth process, taas nga internal quantum efficiency ug photoelectric conversion efficiency mahimong makuha aron makunhuran ang internal nga pagkawala.
8. Taas nga kasaligan ug kinabuhi: ang taas nga kalidad nga teknolohiya sa pagtubo sa epitaxial makaandam sa mga epitaxial sheet nga adunay maayo nga panagway sa nawong ug ubos nga depekto nga densidad, pagpalambo sa pagkakasaligan sa produkto ug kinabuhi.
9. Angayan alang sa lainlaing mga aplikasyon: Ang GAAS-based nga laser diode epitaxial sheet kaylap nga gigamit sa komunikasyon sa optical fiber, mga aplikasyon sa industriya, infrared ug photodetectors ug uban pang mga natad.

Ang nag-unang mga paagi sa aplikasyon sa GaAs laser epitaxial sheet naglakip

1. Optical nga komunikasyon ug komunikasyon sa datos: Ang GaAs epitaxial wafer kay kaylap nga gigamit sa natad sa optical communication, ilabina sa high-speed optical communication systems, para sa paghimo og optoelectronic nga mga himan sama sa mga laser ug detector.

2. Industrial nga mga aplikasyon: GaAs laser epitaxial sheets usab adunay importante nga mga gamit sa industriyal nga mga aplikasyon, sama sa laser pagproseso, pagsukod ug sensing.

3. Consumer electronics: Sa consumer electronics, GaAs epitaxial wafers gigamit sa paghimo sa VCsels (vertical cavity surface-emitting lasers), nga kaylap nga gigamit sa mga smartphone ug uban pang consumer electronics.

4. Mga aplikasyon sa Rf: Ang mga materyales sa GaAs adunay mahinungdanong mga bentaha sa natad sa RF ug gigamit sa paghimo sa mga high-performance nga RF device.

5. Quantum dot lasers: Ang GAAS-based nga quantum dot laser kay kaylap nga gigamit sa komunikasyon, medikal ug militar nga natad, ilabi na sa 1.31µm optical communication band.

6. Passive Q switch: Ang GaAs absorber gigamit alang sa diode-pumped solid state lasers nga adunay passive Q switch, nga angay alang sa micro-machining, ranging ug micro-surgery.

Kini nga mga aplikasyon nagpakita sa potensyal sa GaAs laser epitaxial wafers sa usa ka halapad nga mga high-tech nga aplikasyon.

Ang XKH nagtanyag sa GaAs epitaxial wafers nga adunay lainlaing mga istruktura ug gibag-on nga gipahaum sa mga kinahanglanon sa kostumer, nga naglangkob sa usa ka halapad nga aplikasyon sama sa VCSEL / HCSEL, WLAN, 4G / 5G base station, ug uban pa. kasaligan. Sa termino sa logistics, kita adunay usa ka halapad nga internasyonal nga tinubdan channels, mahimo flexibly pagdumala sa gidaghanon sa mga order, ug paghatag og bili-dugang nga mga serbisyo sama sa thinning, segmentation, ug uban pa. kalidad ug mga oras sa pagpadala. Pagkahuman sa pag-abot, ang mga kustomer makakuha og komprehensibo nga teknikal nga suporta ug serbisyo pagkahuman sa pagbaligya aron masiguro nga ang produkto magamit nga hapsay.