GaAs laser epitaxial wafer 4 pulgada 6 pulgada VCSEL bertikal nga lungag sa nawong emisyon laser wavelength 940nm single junction

GaAs laser epitaxial wafer 4 pulgada 6 pulgada VCSEL bertikal nga cavity surface emission laser wavelength 940nm single junction Gipili nga Imahe

Mubo nga Deskripsyon:

Gidisenyo sa kustomer nga Gigabit Ethernet laser arrays para sa taas nga uniformity 6-inch wafers 850/940nm center optical wavelength oxide limited o proton-implanted VCSEL digital data link communication, laser mouse electrical ug optical characteristics ubos ang sensitivity sa temperatura. Ang VCSEL-940 Single Junction usa ka vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) nga adunay emission wavelength nga kasagaran mga 940 nanometers. Ang maong mga laser kasagaran gilangkoban sa usa ka single quantum well ug makahimo sa paghatag og episyente nga light emission. Ang wavelength nga 940 nanometers naghimo niini nga naa sa infrared spectrum, nga angay alang sa lain-laing mga aplikasyon. Kung itandi sa ubang mga klase sa laser, ang mga VCsel adunay mas taas nga electro-optical conversion efficiency. Ang VCSEL package medyo gamay ug dali i-integrate. Ang lapad nga aplikasyon sa VCSEL-940 naghimo niini nga adunay hinungdanon nga papel sa modernong teknolohiya.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Ang mga nag-unang kinaiya sa GaAs laser epitaxial sheet naglakip sa

1. Single-junction nga istruktura: Kini nga laser kasagaran gilangkoban sa usa ka quantum well, nga makahatag og episyente nga emisyon sa kahayag.
2. Wavelength: Ang wavelength nga 940 nm naghimo niini nga naa sa infrared spectrum range, nga angay alang sa lainlaing mga aplikasyon.
3. Taas nga kahusayan: Kon itandi sa ubang mga klase sa laser, ang VCSEL adunay taas nga kahusayan sa electro-optical conversion.
4. Kakomplikado: Ang pakete sa VCSEL medyo gamay ug dali i-integrate.

5. Ubos nga threshold current ug taas nga efficiency: Ang gilubong nga heterostructure lasers nagpakita og hilabihan ka ubos nga lasing threshold current density (pananglitan 4mA/cm²) ug taas nga external differential quantum efficiency (pananglitan 36%), nga adunay linear output power nga molapas sa 15mW.
6. Kalig-on sa Waveguide mode: Ang gilubong nga heterostructure laser adunay bentaha sa kalig-on sa waveguide mode tungod sa mekanismo sa refractive index guided waveguide ug pig-ot nga gilapdon sa aktibong strip (mga 2μm).
7. Maayo kaayong photoelectric conversion efficiency: Pinaagi sa pag-optimize sa epitaxial growth process, makab-ot ang taas nga internal quantum efficiency ug photoelectric conversion efficiency aron makunhuran ang internal loss.
8. Taas nga kasaligan ug kinabuhi: ang taas nga kalidad nga teknolohiya sa pagtubo sa epitaxial makaandam sa mga epitaxial sheet nga adunay maayong hitsura sa nawong ug ubos nga densidad sa depekto, nga nagpauswag sa kasaligan ug kinabuhi sa produkto.
9. Angay alang sa lain-laing mga aplikasyon: Ang GAAS-based laser diode epitaxial sheet kay kaylap nga gigamit sa optical fiber communication, mga aplikasyon sa industriya, infrared ug photodetectors ug uban pang mga natad.

Ang mga nag-unang paagi sa aplikasyon sa GaAs laser epitaxial sheet naglakip sa

1. Komunikasyon sa optika ug komunikasyon sa datos: Ang mga GaAs epitaxial wafer kaylap nga gigamit sa natad sa komunikasyon sa optika, labi na sa mga high-speed nga sistema sa komunikasyon sa optika, alang sa paggama og mga optoelectronic device sama sa mga laser ug mga detector.

2. Mga aplikasyon sa industriya: Ang mga GaAs laser epitaxial sheet adunay usab hinungdanon nga gamit sa mga aplikasyon sa industriya, sama sa pagproseso sa laser, pagsukod ug pag-ila.

3. Mga elektronikong pangkonsumo: Sa mga elektronikong pangkonsumo, ang mga epitaxial wafer sa GaAs gigamit sa paghimo og mga VCsel (vertical cavity surface-emitting laser), nga kaylap nga gigamit sa mga smartphone ug uban pang mga elektronikong pangkonsumo.

4. Mga aplikasyon sa Rf: Ang mga materyales nga GaAs adunay dakong bentaha sa natad sa RF ug gigamit sa paghimo og mga high-performance RF device.

5. Quantum dot lasers: Ang mga GAAS-based quantum dot lasers kay kaylap nga gigamit sa komunikasyon, medikal ug militar nga natad, labi na sa 1.31µm optical communication band.

6. Passive Q switch: Ang GaAs absorber gigamit para sa diode-pumped solid state lasers nga adunay passive Q switch, nga angay para sa micro-machining, ranging ug micro-surgery.

Kini nga mga aplikasyon nagpakita sa potensyal sa GaAs laser epitaxial wafers sa lain-laing mga high-tech nga aplikasyon.

Ang XKH nagtanyag og GaAs epitaxial wafers nga adunay lain-laing istruktura ug gibag-on nga gipahaom sa mga kinahanglanon sa kustomer, nga naglangkob sa lain-laing mga aplikasyon sama sa VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G base stations, ug uban pa. Ang mga produkto sa XKH gihimo gamit ang mga abante nga kagamitan sa MOCVD aron masiguro ang taas nga performance ug kasaligan. Sa natad sa logistik, kami adunay daghang internasyonal nga mga channel sa gigikanan, mahimo nga flexible nga dumalahon ang gidaghanon sa mga order, ug naghatag og mga serbisyo nga adunay dugang nga bili sama sa pagnipis, pagbahinbahin, ug uban pa. Ang episyente nga mga proseso sa paghatud nagsiguro sa paghatud sa oras ug matubag ang mga kinahanglanon sa kustomer alang sa kalidad ug oras sa paghatud. Human sa pag-abot, ang mga kustomer makakuha og komprehensibo nga teknikal nga suporta ug serbisyo pagkahuman sa pagbaligya aron masiguro nga ang produkto magamit nga hapsay.