AlN-on-NPSS Wafer: Taas nga Performance nga Aluminum Nitride Layer sa Non-Pinished Sapphire Substrate para sa Taas nga Temperatura, Taas nga Power, ug RF nga mga Aplikasyon

Mubo nga Deskripsyon:

Ang AlN-on-NPSS wafer naghiusa sa usa ka high-performance aluminum nitride (AlN) layer uban sa usa ka non-polish sapphire substrate (NPSS) aron magtanyag usa ka sulundon nga solusyon alang sa mga aplikasyon nga taas ang temperatura, taas ang gahum, ug radio-frequency (RF). Ang talagsaon nga kombinasyon sa talagsaong thermal conductivity ug electrical properties sa AlN, uban sa maayo kaayo nga mekanikal nga kusog sa substrate, naghimo niini nga wafer nga usa ka gipalabi nga kapilian alang sa mga lisud nga aplikasyon sama sa power electronics, high-frequency devices, ug optical components. Uban sa maayo kaayo nga heat dissipation, ubos nga loss, ug pagkaangay sa mga palibot nga taas ang temperatura, kini nga wafer nagtugot sa pag-uswag sa sunod nga henerasyon nga mga aparato nga adunay labaw nga performance.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Taas nga Performance AlN LayerAng Aluminum Nitride (AlN) nailhan tungod sataas nga thermal conductivity(~200 W/m·K),lapad nga gintang sa banda, ugtaas nga boltahe sa pagkaguba, nga naghimo niini nga usa ka sulundon nga materyal alang sataas nga gahum, taas nga frequency, ugtaas nga temperaturamga aplikasyon.

Dili-Pinasin nga Sapphire Substrate (NPSS)Ang wala gipasinaw nga sapiro naghatag ogbarato, lig-on sa mekanikal nga paagibase, nga nagsiguro sa lig-on nga pundasyon para sa epitaxial nga pagtubo nga wala ang pagkakomplikado sa pagpasinaw sa nawong. Ang maayo kaayong mekanikal nga mga kabtangan sa NPSS naghimo niini nga lig-on alang sa mahagiton nga mga palibot.

Taas nga Kalig-on sa InitAng AlN-on-NPSS wafer makasugakod sa grabeng pag-usab-usab sa temperatura, nga naghimo niini nga angay gamiton saelektroniko sa kuryente, mga sistema sa awto, Mga LED, ugmga aplikasyon sa optikanga nanginahanglan ug lig-on nga performance sa mga kondisyon nga taas ang temperatura.

Insulasyon sa ElektrisidadAng AlN adunay maayo kaayong electrical insulating properties, nga naghimo niini nga perpekto alang sa mga aplikasyon diinelektrikal nga pagbulagkritikal, lakip na angMga aparato sa RFugmga elektroniko sa microwave.

Labaw nga Pagkawala sa KainitUban sa taas nga thermal conductivity, ang AlN layer nagsiguro sa epektibong pagpalapad sa kainit, nga hinungdanon alang sa pagmintinar sa performance ug taas nga kinabuhi sa mga device nga nag-operate ubos sa taas nga power ug frequency.

Mga Teknikal nga Parameter

Parametro	Espisipikasyon
Diametro sa Wafer	2-pulgada, 4-pulgada (magamit ang custom nga gidak-on)
Tipo sa Substrate	Dili-Pinasin nga Sapphire Substrate (NPSS)
Gibag-on sa Layer sa AlN	2µm hangtod 10µm (mapasibo)
Gibag-on sa Substrate	430µm ± 25µm (para sa 2-pulgada), 500µm ± 25µm (para sa 4-pulgada)
Konduktibidad sa Init	200 W/m·K
Resistivity sa Elektrisidad	Taas nga insulasyon, angay alang sa mga aplikasyon sa RF
Kagaspang sa Ibabaw	Ra ≤ 0.5µm (para sa AlN layer)
Kaputli sa Materyal	Taas nga kaputli sa AlN (99.9%)
Kolor	Puti/Dugang-Puti (AlN layer nga adunay luspad nga kolor nga NPSS substrate)
Wafer Warp	< 30µm (kasagaran)
Tipo sa Pagdoping	Wala gi-doped (mahimong ipasibo)

Mga Aplikasyon

AngAlN-on-NPSS wafergidisenyo alang sa lain-laing mga aplikasyon nga taas og performance sa daghang mga industriya:

Mga Elektroniko nga Taas og GahomAng taas nga thermal conductivity ug insulating properties sa AlN layer naghimo niini nga usa ka sulundon nga materyal para samga transistor sa kuryente, mga rectifier, ugmga power ICgigamit saawto, industriyal, ugmabag-o nga enerhiyamga sistema.

Mga Komponente sa Radio-Frequency (RF)Ang maayo kaayong electrical insulating properties sa AlN, inubanan sa gamay nga loss niini, nagtugot sa produksyon saMga RF transistor, Mga HEMT (Mga High-Electron-Mobility Transistor), ug uban pamga sangkap sa microwavenga episyente nga naglihok sa taas nga mga frequency ug lebel sa kuryente.

Mga Kagamitang OptikalAng mga wafer sa AlN-on-NPSS gigamit samga laser diode, Mga LED, ugmga photodetector, diin angtaas nga thermal conductivityugmekanikal nga kalig-onhinungdanon alang sa pagpadayon sa performance sa taas nga kinabuhi.

Mga Sensor sa Taas nga TemperaturaAng abilidad sa wafer nga makasugakod sa grabeng kainit naghimo niini nga angay alang samga sensor sa temperaturaugpagmonitor sa kalikopansa mga industriya sama saaerospace, awto, uglana ug gas.

Pagputos sa SemiconductorGigamit sa mga heat spreaderugmga layer sa pagdumala sa kainitsa mga sistema sa pagputos, nga nagsiguro sa kasaligan ug kaepektibo sa mga semiconductor.

Pangutana ug Tubag

P: Unsa ang pangunang bentaha sa mga AlN-on-NPSS wafer kon itandi sa tradisyonal nga mga materyales sama sa silicon?

A: Ang pangunang bentaha mao ang AlN'staas nga thermal conductivity, nga nagtugot niini sa epektibong pagpahawa sa kainit, nga naghimo niini nga sulundon alang sataas nga gahumugmga aplikasyon nga taas og frequencydiin ang pagdumala sa kainit kritikal. Dugang pa, ang AlN adunaylapad nga gintang sa bandaug maayo kaayoinsulasyon sa kuryente, nga naghimo niini nga mas maayo alang sa paggamit saRFugmga aparato sa microwavekon itandi sa tradisyonal nga silicon.

P: Mahimo ba nga ipasibo ang AlN layer sa mga NPSS wafer?

A: Oo, ang AlN layer mahimong ipasibo sa gibag-on niini (gikan sa 2µm hangtod 10µm o labaw pa) aron matubag ang piho nga mga panginahanglanon sa imong aplikasyon. Nagtanyag usab kami og pag-customize sa mga termino sa doping type (N-type o P-type) ug dugang nga mga layer para sa espesyal nga mga gimbuhaton.

P: Unsa ang kasagarang gamit niining wafer sa industriya sa awto?

A: Sa industriya sa awto, ang mga wafer sa AlN-on-NPSS kasagarang gigamit saelektroniko sa kuryente, Mga sistema sa suga sa LED, ugmga sensor sa temperaturaNaghatag kini og maayo kaayong thermal management ug electrical insulation, nga importante para sa mga high-efficiency system nga mo-operate ubos sa lain-laing kondisyon sa temperatura.