AlN-on-NPSS Wafer: High-Performance Aluminum Nitride Layer sa Non-Polished Sapphire Substrate para sa High-Temperature, High-Power, ug RF Applications

Mubo nga Deskripsyon:

Ang AlN-on-NPSS wafer naghiusa sa usa ka high-performance aluminum nitride (AlN) layer nga adunay non-polished sapphire substrate (NPSS) aron magtanyag ug ideal nga solusyon para sa high-temperature, high-power, ug radio-frequency (RF) nga mga aplikasyon. Ang talagsaon nga kombinasyon sa talagsaon nga thermal conductivity ug electrical properties sa AlN, uban sa maayo kaayong mekanikal nga kalig-on sa substrate, naghimo niining wafer nga usa ka pinalabi nga pagpili alang sa pagpangayo sa mga aplikasyon sama sa power electronics, high-frequency device, ug optical components. Uban sa maayo kaayo nga pagkawala sa kainit, ubos nga pagkawala, ug pagkaangay sa taas nga temperatura nga mga palibot, kini nga wafer makahimo sa pag-uswag sa mga sunod nga henerasyon nga mga himan nga adunay labaw nga performance.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Mga bahin

High-Performance AlN Layer: Ang Aluminum Nitride (AlN) kay ilado tungod niinitaas nga thermal conductivity(~200 W/m·K),lapad nga bandgap, ugtaas nga breakdown boltahe, nga naghimo niini nga usa ka sulundon nga materyal alang sataas nga gahum, taas nga frequency, ugtaas nga temperaturamga aplikasyon.

Non-Polished Sapphire Substrate (NPSS): Ang non-pinasinaw nga sapiro naghatag ug agasto-epektibo, mekanikal nga lig-onbase, pagsiguro sa usa ka lig-on nga pundasyon alang sa epitaxial nga pagtubo nga walay pagkakomplikado sa ibabaw nga polishing. Ang maayo kaayo nga mekanikal nga mga kabtangan sa NPSS naghimo niini nga lig-on alang sa mahagiton nga mga palibot.

Taas nga Thermal Stability: Ang AlN-on-NPSS wafer makasugakod sa grabeng pag-usab-usab sa temperatura, nga angayan gamiton sagahum electronics, mga sistema sa awto, Mga LED, ugoptical nga mga aplikasyonnga nagkinahanglan og stable nga performance sa taas nga temperatura nga mga kondisyon.

Insulasyon sa Elektrisidad: Ang AlN adunay maayo kaayo nga electrical insulating properties, nga naghimo niini nga hingpit alang sa mga aplikasyon diinelectrical isolationkritikal, lakipMga RF deviceugmicrowave electronics.

Superior nga Pagwagtang sa Kainit: Uban sa taas nga thermal conductivity, ang AlN layer nagsiguro sa epektibo nga pagwagtang sa kainit, nga gikinahanglan alang sa pagmintinar sa performance ug taas nga kinabuhi sa mga device nga naglihok ubos sa taas nga gahum ug frequency.

Teknikal nga Parameter

Parameter	Espesipikasyon
Wafer Diametro	2-pulgada, 4-pulgada (magamit ang naandan nga gidak-on)
Uri sa substrate	Non-Polished Sapphire Substrate (NPSS)
AlN Layer Gibag-on	2µm hangtod 10µm (mapasibo)
Gibag-on sa substrate	430µm ± 25µm (alang sa 2-pulgada), 500µm ± 25µm (alang sa 4-pulgada)
Thermal Conductivity	200 W/m·K
Electrical nga resistensya	Taas nga insulasyon, angay alang sa mga aplikasyon sa RF
Pagkagahi sa nawong	Ra ≤ 0.5µm (alang sa AlN layer)
Materyal nga Kaputli	Taas nga kaputli AlN (99.9%)
Kolor	White/Off-White (AlN layer nga adunay light-colored NPSS substrate)
Wafer Warp	<30µm (kasagaran)
Matang sa Doping	Un-doped (mahimong ipasadya)

Mga aplikasyon

AngAlN-on-NPSS wafergidisenyo alang sa usa ka halapad nga lainlain nga mga high-performance nga aplikasyon sa daghang mga industriya:

High-Power Electronics: Ang AlN layer nga taas nga thermal conductivity ug insulating properties naghimo niini nga usa ka sulundon nga materyal alang sagahum transistors, mga rectifier, uggahum ICsgigamit sasakyanan, industriyal, ugrenewable energymga sistema.

Mga sangkap sa Radio-Frequency (RF).: Ang maayo kaayo nga electrical insulating kabtangan sa AlN, inubanan sa iyang ubos nga pagkawala, makahimo sa produksyon saRF transistor, Mga HEMT (High-Electron-Mobility Transistors), ug uban pamga sangkap sa microwavenga naglihok nga epektibo sa taas nga mga frequency ug lebel sa kuryente.

Optical nga mga Device: AlN-on-NPSS wafer gigamit salaser diodes, Mga LED, ugmga photodetector, diin angtaas nga thermal conductivityugmekanikal nga kalig-onkinahanglanon alang sa pagpadayon sa pasundayag sa taas nga kinabuhi.

Mga Sensor sa Taas nga Temperatura: Ang abilidad sa wafer nga makasugakod sa grabeng kainit naghimo niini nga angayanmga sensor sa temperaturaugpagmonitor sa kinaiyahansa mga industriya sama saaerospace, sakyanan, uglana ug gas.

Pagputos sa Semiconductor: Gigamit sa mga tigpakaylap sa kainitugmga layer sa pagdumala sa thermalsa mga sistema sa pagputos, pagsiguro sa pagkakasaligan ug kahusayan sa mga semiconductor.

Q&A

Q: Unsa ang nag-unang bentaha sa AlN-on-NPSS wafers sa tradisyonal nga mga materyales sama sa silicon?

A: Ang nag-unang bentaha mao ang AlN'staas nga thermal conductivity, nga nagtugot niini sa episyente nga pagwagtang sa kainit, nga naghimo niini nga sulundon alang sataas nga gahumughigh-frequency nga mga aplikasyondiin kritikal ang pagdumala sa kainit. Dugang pa, ang AlN adunay alapad nga bandgapug maayo kaayoelectrical insulasyon, nga naghimo niini nga labaw alang sa paggamit saRFugmga gamit sa microwaveitandi sa tradisyonal nga silicon.

P: Mahimo bang ipasadya ang AlN layer sa NPSS wafers?

A: Oo, ang AlN layer mahimong ipasibo sa termino sa gibag-on (gikan sa 2µm ngadto sa 10µm o labaw pa) aron matubag ang mga piho nga panginahanglan sa imong aplikasyon. Nagtanyag usab kami og pag-customize sa mga termino sa doping type (N-type o P-type) ug dugang nga mga layer alang sa espesyal nga mga gimbuhaton.

Q: Unsa ang kasagaran nga aplikasyon alang niini nga wafer sa industriya sa automotive?

A: Sa industriya sa awto, ang AlN-on-NPSS wafer sagad gigamit sagahum electronics, Mga sistema sa suga sa LED, ugmga sensor sa temperatura. Naghatag sila og labing maayo nga pagdumala sa thermal ug insulasyon sa elektrisidad, nga hinungdanon alang sa mga sistema sa high-efficiency nga naglihok ubos sa lainlaing mga kondisyon sa temperatura.