English

8 ka pulgada nga SiC Production grade wafer nga 4H-N SiC substrate

8 ka pulgada nga SiC Production grade wafer 4H-N SiC substrate Gipili nga Imahe
  • 8 ka pulgada nga SiC Production grade wafer nga 4H-N SiC substrate
  • 8 ka pulgada nga SiC Production grade wafer nga 4H-N SiC substrate
  • 8 ka pulgada nga SiC Production grade wafer nga 4H-N SiC substrate

Mubo nga Deskripsyon:

Ang 8-pulgada nga SiC substrates gigamit sa mga high-power electronic device, sama sa power MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), Schottky diodes ug uban pang power semiconductor devices.


Mga Kinaiya

Ang mosunod nga talaan nagpakita sa mga detalye sa among 8 pulgada nga SiC wafers:

Mga Espesipikasyon sa 8 pulgada nga N-type SiC DSP
Numero Butang Yunit Produksyon Panukiduki Dummy
1:mga parametro
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 oryentasyon sa nawong ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2: Parametro sa kuryente
2.1 dopant -- n-tipo nga Nitroheno n-tipo nga Nitroheno n-tipo nga Nitroheno
2.2 resistensya ohm ·cm 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3: Mekanikal nga parametro
3.1 diametro mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
3.2 gibag-on μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Oryentasyon sa notch ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Giladmon sa Notch mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 LTV μm ≤5 (10mm * 10mm) ≤5 (10mm * 10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Pana μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Lingkod μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4: Istruktura
4.1 densidad sa mikropipe matag usa/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 sulod sa metal mga atomo/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD matag usa/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD matag usa/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED matag usa/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Kalidad sa atubangan
5.1 atubangan -- Si Si Si
5.2 pagkahuman sa nawong -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 tipik ea/wafer ≤100 (gidak-on ≥0.3μm) NA NA
5.4 kuskuson ea/wafer ≤5, Kinatibuk-ang Gitas-on ≤200mm NA NA
5.5 Ngilit
mga tipik/mga indent/mga liki/mga lama/kontaminasyon		 -- Wala Wala NA
5.6 Mga lugar nga polytype -- Wala Lugar ≤10% Lugar ≤30%
5.7 pagmarka sa atubangan -- Wala Wala Wala
6: Kalidad sa likod
6.1 pagtapos sa likod -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 kuskuson mm NA NA NA
6.3 Mga depekto sa likod nga bahin sa ngilit
mga chips/indent		 -- Wala Wala NA
6.4 Kabangis sa likod nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Pagmarka sa likod -- Binukbok Binukbok Binukbok
7: ngilit
7.1 ngilit -- Chamfer Chamfer Chamfer
8: Pakete
8.1 pagputos -- Andam na sa epi nga adunay vacuum
pagputos		 Andam na sa epi nga adunay vacuum
pagputos		 Andam na sa epi nga adunay vacuum
pagputos
8.2 pagputos -- Multi-wafer
pagputos sa cassette		 Multi-wafer
pagputos sa cassette		 Multi-wafer
pagputos sa cassette

Detalyado nga Dayagram

asd (1)
asd (2)
asd (3)
  • Miagi:
  • Sunod:

    • Mga May Kalabutan nga Produkto

    Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo
    Pindota ang enter aron mangita o ESC aron isira