8inch SiC Production grade wafer 4H-N SiC substrate
Ang mosunod nga lamesa nagpakita sa mga detalye sa among 8inch SiC wafers:
| 8inch N-type nga SiC DSP Specs | |||||
| Numero | butang | Unit | Produksyon | Pagpanukiduki | Dummy |
| 1:parameter | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasyon sa nawong | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: Parametro sa kuryente | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-type nga Nitrogen | n-type nga Nitrogen | n-type nga Nitrogen |
| 2.2 | resistivity | ohm · cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3: Mekanikal nga parametro | |||||
| 3.1 | diametro | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | gibag-on | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasyon sa notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Notch Depth | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | pana | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4: Estruktura | |||||
| 4.1 | density sa micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal nga sulod | mga atomo/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5.Ang kalidad sa atubangan | |||||
| 5.1 | atubangan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | paghuman sa ibabaw | -- | Si-nawong CMP | Si-nawong CMP | Si-nawong CMP |
| 5.3 | partikulo | ea/wafer | ≤100(gidak-on≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | scratch | ea/wafer | ≤5, Total Length≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Edge mga chips/indents/cracks/stains/contamination | -- | Wala | Wala | NA |
| 5.6 | Polytype nga mga lugar | -- | Wala | Lugar ≤10% | Lugar ≤30% |
| 5.7 | pagmarka sa atubangan | -- | Wala | Wala | Wala |
| 6: Balik nga kalidad | |||||
| 6.1 | paghuman sa likod | -- | C-nawong MP | C-nawong MP | C-nawong MP |
| 6.2 | scratch | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Mga depekto sa likod nga bahin mga chips/indents | -- | Wala | Wala | NA |
| 6.4 | Pagkagahi sa likod | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Pagmarka sa likod | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7:gilid | |||||
| 7.1 | ngilit | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8:Pakete | |||||
| 8.1 | pagputos | -- | Epi-andam nga adunay vacuum pagputos | Epi-andam nga adunay vacuum pagputos | Epi-andam nga adunay vacuum pagputos |
| 8.2 | pagputos | -- | Daghang-wafer pagputos sa cassette | Daghang-wafer pagputos sa cassette | Daghang-wafer pagputos sa cassette |
Detalyadong Diagram
May Kalabutan nga mga Produkto
Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo