6 ka Pulgada nga 4H SEMI Type SiC composite substrate Gibag-on 500μm TTV≤5μm MOS grade

Mubo nga Deskripsyon:

Uban sa paspas nga pag-uswag sa 5G communications ug radar technology, ang 6-inch semi-insulating SiC composite substrate nahimong core material para sa high-frequency device manufacturing. Kon itandi sa tradisyonal nga GaAs substrates, kini nga substrate nagmintinar sa taas nga resistivity (>10⁸ Ω·cm) samtang nagpauswag sa thermal conductivity og sobra sa 5x, nga epektibong nagtubag sa mga hagit sa heat dissipation sa mga millimeter-wave device. Ang mga power amplifier sulod sa adlaw-adlaw nga mga device sama sa 5G smartphones ug satellite communication terminals lagmit gitukod niini nga substrate. Gamit ang among proprietary nga "buffer layer doping compensation" nga teknolohiya, among gipakunhod ang micropipe density ngadto sa ubos sa 0.5/cm² ug nakab-ot ang ultra-low microwave loss nga 0.05 dB/mm.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Teknikal nga mga parametro

Mga butang	Espisipikasyon	Mga butang	Espisipikasyon
Diametro	150±0.2 mm	Kabangis sa atubangan (Si-face)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)
Politipo	4H	Pagkabuak sa Ngilit, Kamot, Liki (biswal nga inspeksyon)	Wala
Resistivity	≥1E8 Ω·cm	TTV	≤5 μm
Gibag-on sa Layer sa Pagbalhin	≥0.4 μm	Lingkod	≤35 μm
Walay sulod (2mm>D>0.5mm)	≤5 matag usa/Wafer	Gibag-on	500±25 μm

Pangunang mga Kinaiya

1. Talagsaong Pagganap sa Taas nga Frequency
Ang 6-pulgada nga semi-insulating SiC composite substrate naggamit ug graded dielectric layer design, nga nagsiguro sa dielectric constant variation nga <2% sa Ka-band (26.5-40 GHz) ug nagpauswag sa phase consistency sa 40%. 15% nga pagtaas sa efficiency ug 20% nga mas ubos nga power consumption sa T/R modules nga naggamit niini nga substrate.

2. Dakong Pagdumala sa Init
Usa ka talagsaon nga "thermal bridge" composite structure ang makahimo sa lateral thermal conductivity nga 400 W/m·K. Sa 28 GHz 5G base station PA modules, ang temperatura sa junction mosaka lang og 28°C human sa 24 oras nga padayon nga operasyon—50°C nga mas ubos kay sa naandan nga mga solusyon.

3. Labing Maayong Kalidad sa Wafer
Pinaagi sa usa ka gi-optimize nga pamaagi sa Physical Vapor Transport (PVT), nakab-ot namo ang dislocation density nga <500/cm² ug Total Thickness Variation (TTV) nga <3 μm.
4. Pagproseso nga Mahigalaon sa Paggama
Ang among proseso sa laser annealing nga espesipikong gihimo para sa 6-pulgada nga semi-insulating SiC composite substrate nga nagpamenos sa surface state density sa duha ka order sa magnitude sa dili pa ang epitaxy.

Pangunang mga Aplikasyon

1. Mga Pangunang Komponente sa 5G Base Station
Sa mga Massive MIMO antenna arrays, ang mga GaN HEMT device sa 6-pulgada nga semi-insulating SiC composite substrates nakakab-ot og 200W output power ug >65% nga efficiency. Ang mga field test sa 3.5 GHz nagpakita og 30% nga pagtaas sa coverage radius.

2. Mga Sistema sa Komunikasyon sa Satelayt
Ang mga low-Earth orbit (LEO) satellite transceiver nga naggamit niining substrate nagpakita og 8 dB nga mas taas nga EIRP sa Q-band (40 GHz) samtang nagpamenos sa gibug-aton og 40%. Gisagop kini sa mga SpaceX Starlink terminal alang sa mass production.

3. Mga Sistema sa Radar sa Militar
Ang phased-array radar T/R modules niining substrate nakakab-ot sa 6-18 GHz bandwidth ug noise figure nga ubos ra sama sa 1.2 dB, nga nagpalapad sa detection range og 50 km sa early-warning radar systems.

4. Radar sa Balod nga Milimetro sa Sakyanan
Ang 79 GHz automotive radar chips nga naggamit niining substrate nagpauswag sa angular resolution ngadto sa 0.5°, nga nakakab-ot sa mga kinahanglanon sa L4 autonomous driving.

Nagtanyag kami og komprehensibo ug gipahaom nga solusyon sa serbisyo para sa 6-pulgada nga semi-insulating SiC composite substrates. Mahitungod sa pagpahaom sa mga parameter sa materyal, gisuportahan namo ang tukmang regulasyon sa resistivity sulod sa range nga 10⁶-10¹⁰ Ω·cm. Ilabi na para sa mga aplikasyon sa militar, makatanyag kami og ultra-high resistance nga opsyon nga >10⁹ Ω·cm. Nagtanyag kini og tulo ka espesipikasyon sa gibag-on nga 200μm, 350μm ug 500μm sa samang higayon, diin ang tolerance hugot nga gikontrol sulod sa ±10μm, nga nakakab-ot sa lain-laing mga kinahanglanon gikan sa high-frequency devices ngadto sa high-power nga mga aplikasyon.

Kabahin sa mga proseso sa surface treatment, nagtanyag kami og duha ka propesyonal nga solusyon: Ang Chemical Mechanical Polishing (CMP) makab-ot ang atomic-level surface flatness nga adunay Ra<0.15nm, nga makatubag sa labing gikinahanglan nga epitaxial growth requirements; Ang epitaxial ready surface treatment technology para sa paspas nga panginahanglan sa produksiyon makahatag og ultra-smooth nga mga surface nga adunay Sq<0.3nm ug residual oxide thickness nga <1nm, nga makapasayon pag-ayo sa proseso sa pretreatment sa kliyente.

Ang XKH naghatag og komprehensibo ug gipahaom nga mga solusyon para sa 6-pulgada nga semi-insulating SiC composite substrates.

1. Pag-customize sa Parameter sa Materyal
Nagtanyag kami og tukmang resistivity tuning sulod sa range nga 10⁶-10¹⁰ Ω·cm, nga adunay espesyalisadong ultra-high resistivity options nga >10⁹ Ω·cm nga magamit para sa mga aplikasyon sa militar/aerospace.

2. Mga Espisipikasyon sa Gibag-on
Tulo ka estandardisadong mga kapilian sa gibag-on:

· 200μm (gi-optimize para sa mga high-frequency device)

· 350μm (standard nga espesipikasyon)

· 500μm (gidisenyo para sa mga aplikasyon nga taas og gahum)
· Ang tanang variant nagmintinar og hugot nga gibag-on nga tolerance nga ±10μm.

3. Mga Teknolohiya sa Pagtambal sa Ibabaw

Kemikal nga Mekanikal nga Pagpakintab (CMP): Nakakab-ot sa patag nga nawong nga lebel sa atomiko nga adunay Ra<0.15nm, nga nakakab-ot sa estrikto nga mga kinahanglanon sa pagtubo sa epitaxial para sa RF ug mga power device.

4. Pagproseso sa Ibabaw nga Andam na sa Epi

· Naghatag og ultra-hamis nga mga nawong nga adunay Sq<0.3nm nga kabangis

· Mokontrol sa gibag-on sa lumad nga oksido ngadto sa <1nm

· Giwagtang ang hangtod sa 3 ka mga lakang sa pre-processing sa mga pasilidad sa kustomer