4 ka pulgada nga Taas nga kaputli nga Al2O3 99.999% Sapphire substrate wafer Diametro 101.6×0.65mmt nga adunay Pangunang Patag nga Gitas-on

Mubo nga Deskripsyon:

Ang 4-pulgada (mga 101.6 mm) nga sapiro nga wafer usa ka wafer nga hinimo sa materyal nga sapiro nga adunay diyametro nga 4 ka pulgada.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Deskripsyon

Ang kasagarang mga detalye sa 4-pulgada nga sapphire wafer gipaila sama sa mosunod:

Gibag-on: Ang gibag-on sa komon nga mga wafer nga sapiro tali sa 0.2 mm ug 2 mm, ug ang piho nga gibag-on mahimong ipasibo sumala sa mga kinahanglanon sa kustomer.

Placement Edge: Kasagaran adunay gamay nga seksyon sa ngilit sa wafer nga gitawag og "placement edge" nga manalipod sa nawong ug ngilit sa wafer, ug kasagaran kini walay porma.

Pag-andam sa nawong: Ang kasagarang mga wafer nga sapiro gigaling pinaagi sa mekanikal nga paagi ug gipasinaw pinaagi sa kemikal nga paagi aron hamis ang nawong.

Mga kabtangan sa nawong: Ang nawong sa mga sapphire wafer kasagaran adunay maayong mga kabtangan sa optika, sama sa ubos nga reflectivity ug ubos nga refractive index, aron mapaayo ang performance sa device.

Mga Aplikasyon

● Substrate sa pagtubo para sa mga compound nga III-V ug II-VI

● Elektroniks ug optoelectronics

● Mga aplikasyon sa IR

● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS)

● Integrated Circuit sa Frequency sa Radyo (RFIC)

Espisipikasyon

Butang	4-pulgada nga C-plane(0001) 650μm nga Sapphire Wafers
Mga Materyales nga Kristal	99,999%, Taas nga Kaputli, Monocrystalline Al2O3
Grado	Prime, Epi-Ready
Oryentasyon sa Ibabaw	C-plane(0001)
	C-plane nga lahi sa anggulo padulong sa M-axis 0.2 +/- 0.1°
Diametro	100.0 mm +/- 0.1 mm
Gibag-on	650 μm +/- 25 μm
Panguna nga Patag nga Oryentasyon	A-plane (11-20) +/- 0.2°
Pangunang Patag nga Gitas-on	30.0 mm +/- 1.0 mm
Usa ka kilid nga gipasinaw	Atubangan nga Nawong	Epi-polish, Ra < 0.2 nm (pinaagi sa AFM)
(SSP)	Likod nga Nawong	Pinong yuta, Ra = 0.8 μm ngadto sa 1.2 μm
Dobleng Kilid nga Pinasinaw	Atubangan nga Nawong	Epi-polish, Ra < 0.2 nm (pinaagi sa AFM)
(DSP)	Likod nga Nawong	Epi-polish, Ra < 0.2 nm (pinaagi sa AFM)
TTV	< 20 μm
PAN	< 20 μm
WARP	< 20 μm
Pagpanglimpyo / Pagputos	Klase 100 nga pagpanglimpyo sa limpyo nga kwarto ug pag-vacuum sa packaging,
	25 ka piraso sa usa ka cassette packaging o single piece packaging.

Duna mi daghang katuigan nga kasinatian sa industriya sa pagproseso sa sapiro. Apil na ang merkado sa mga supplier sa China, ingon man ang merkado sa internasyonal nga panginahanglan. Kung naa kay mga panginahanglan, ayaw pagpanuko sa pagkontak kanamo.