2 pulgada nga Silicon Carbide Wafers 6H o 4H N-type o Semi-Insulating SiC Substrates
Girekomenda nga mga Produkto
4H SiC wafer N-type
Diametro: 2 pulgada 50.8mm | 4 pulgada 100mm | 6 pulgada 150mm
Orientasyon: off axis 4.0˚ padulong <1120> ± 0.5˚
Resistivity: <0.1 ohm.cm
Pagkagahi: Si-nawong CMP Ra <0.5nm, C-nawong optical polish Ra <1 nm
4H SiC wafer Semi-insulating
Diametro: 2 pulgada 50.8mm | 4 pulgada 100mm | 6 pulgada 150mm
Oryentasyon: sa axis {0001} ± 0.25˚
Resistivity: >1E5 ohm.cm
Pagkagahi: Si-nawong CMP Ra <0.5nm, C-nawong optical polish Ra <1 nm
1. 5G nga imprastraktura -- suplay sa kuryente sa komunikasyon.
Ang suplay sa kuryente sa komunikasyon mao ang base sa enerhiya alang sa komunikasyon sa server ug base station. Naghatag kini og elektrisidad nga enerhiya alang sa lainlaing mga kagamitan sa transmission aron masiguro ang normal nga operasyon sa sistema sa komunikasyon.
2. Pag-charge sa pile sa bag-ong enerhiya nga mga sakyanan -- power module sa charging pile.
Ang taas nga episyente ug taas nga gahum sa charging pile power module mahimong matuman pinaagi sa paggamit sa silicon carbide sa charging pile power module, aron mapauswag ang katulin sa pag-charge ug makunhuran ang gasto sa pag-charge.
3. Dako nga data center, Industrial Internet -- server power supply.
Ang suplay sa kuryente sa server mao ang librarya sa enerhiya sa server. Ang server naghatag gahum aron masiguro ang normal nga operasyon sa sistema sa server. Ang paggamit sa silicon carbide power components sa server power supply makapauswag sa power density ug efficiency sa server power supply, pagpakunhod sa gidaghanon sa data center sa kinatibuk-an, pagpakunhod sa kinatibuk-ang gasto sa pagtukod sa data center, ug pagkab-ot sa mas taas nga environmental pagkaepisyente.
4. Uhv - Paggamit sa flexible transmission DC circuit breakers.
5. Intercity high-speed rail ug intercity rail transit -- traction converters, power electronic transformers, auxiliary converters, auxiliary power supply.
Parameter
Mga kabtangan | yunit | Silicon | SiC | GaN |
Bandgap gilapdon | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
Natad sa pagkaguba | MV/cm | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
Electron nga paglihok | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Drift vacity | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
Thermal conductivity | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |