English

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch Featured Image
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

Mubo nga Deskripsyon:

Nagtanyag kami og lain-laing klase sa taas-kalidad nga SiC (Silicon Carbide) wafers, nga nagpunting sa N-type 4H-N ug 6H-N wafers, nga sulundon alang sa mga aplikasyon sa advanced optoelectronics, power devices, ug high-temperature environments. Kini nga mga N-type wafers nailhan tungod sa ilang talagsaong thermal conductivity, talagsaong electrical stability, ug talagsaong kalig-on, nga naghimo kanila nga perpekto alang sa mga high-performance nga aplikasyon sama sa power electronics, electric vehicle drive systems, renewable energy inverters, ug industrial power supplies. Gawas pa sa among mga tanyag nga N-type, naghatag usab kami og P-type 4H/6H-P ug 3C SiC wafers alang sa espesyal nga mga panginahanglan, lakip ang high-frequency ug RF devices, ingon man mga photonic application. Ang among mga wafer anaa sa mga gidak-on gikan sa 2 ka pulgada hangtod 8 ka pulgada, ug naghatag kami og gipahaom nga mga solusyon aron matubag ang piho nga mga kinahanglanon sa lain-laing mga sektor sa industriya. Alang sa dugang nga mga detalye o pangutana, palihug ayaw pagpanuko sa pagkontak kanamo.


Mga Kinaiya

Mga Kabtangan

4H-N ug 6H-N (N-type nga SiC Wafers)

Aplikasyon:Pangunahing gigamit sa power electronics, optoelectronics, ug mga aplikasyon sa taas nga temperatura.

Sakop sa Diametro:50.8 mm ngadto sa 200 mm.

Gibag-on:350 μm ± 25 μm, nga adunay opsyonal nga gibag-on nga 500 μm ± 25 μm.

Resistivity:N-tipo 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-grade), ≤ 0.3 Ω·cm (P-grade); N-tipo 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Z-grade), ≤ 1 mΩ·cm (P-grade).

Kagaspang:Ra ≤ 0.2 nm (CMP o MP).

Densidad sa Mikropipe (MPD):< 1 matag usa/cm².

TTV: ≤ 10 μm para sa tanang diyametro.

Lingkod: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para sa 8-pulgada nga mga wafer).

Pagtangtang sa Ngilit:3 mm hangtod 6 mm depende sa klase sa wafer.

Pagputos:Multi-wafer cassette o single wafer nga sudlanan.

Naay lain nga size nga available: 3inch, 4inch, 6inch, ug 8inch

HPSI (Mga Wafer nga SiC nga Taas ang Kaputli nga Semi-Insulating)

Aplikasyon:Gigamit para sa mga device nga nanginahanglan og taas nga resistensya ug lig-on nga performance, sama sa mga RF device, photonic applications, ug sensors.

Sakop sa Diametro:50.8 mm ngadto sa 200 mm.

Gibag-on:Standard nga gibag-on nga 350 μm ± 25 μm nga adunay mga opsyon para sa mas baga nga mga wafer hangtod sa 500 μm.

Kagaspang:Ra ≤ 0.2 nm.

Densidad sa Mikropipe (MPD): ≤ 1 matag usa/cm².

Resistivity:Taas nga resistensya, kasagarang gigamit sa mga aplikasyon nga semi-insulating.

Lingkod: ≤ 30 μm (para sa gagmay nga mga gidak-on), ≤ 45 μm para sa mas dagkong mga diametro.

TTV: ≤ 10 μm.

Naay lain nga size nga available: 3inch, 4inch, 6inch, ug 8inch

4H-P、6H-P&3C SiC wafer(Mga P-type nga SiC Wafer)

Aplikasyon:Panguna alang sa mga power ug high-frequency nga mga device.

Sakop sa Diametro:50.8 mm ngadto sa 200 mm.

Gibag-on:350 μm ± 25 μm o gipahaom nga mga kapilian.

Resistivity:P-tipo 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-grade), ≤ 0.3 Ω·cm (P-grade).

Kagaspang:Ra ≤ 0.2 nm (CMP o MP).

Densidad sa Mikropipe (MPD):< 1 matag usa/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Pagtangtang sa Ngilit:3mm hangtod 6mm.

Lingkod: ≤ 30 μm para sa mas gagmay nga mga gidak-on, ≤ 45 μm para sa mas dagkong mga gidak-on.

Adunay lain nga gidak-on nga mapilian: 3 pulgada 4 pulgada 6 pulgada5×5 10×10

Talahanayan sa mga Parameter sa Partial nga Datos

Kabtangan

2 pulgada

3 ka pulgada

4 ka pulgada

6 ka pulgada

8 pulgada

Matang

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diametro

50.8 ± 0.3 mm

76.2±0.3mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0.3 mm

Gibag-on

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

o gipahaom

o gipahaom

o gipahaom

o gipahaom

o gipahaom

Kagaspang

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Lingkod

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Kalot/Kutkot

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Porma

Lingin, Patag 16mm; SA gitas-on 22mm; SA Gitas-on 30/32.5mm; SA Gitas-on 47.5mm; Biyak; Biyak;

Bevel

45°, SEMI Spec; C nga Porma

 Grado

Grado sa produksiyon para sa MOS&SBD; Grado sa panukiduki; Grado sa dummy, Grado sa seed wafer

Mga komento

Diametro, Gibag-on, Oryentasyon, mga detalye sa ibabaw mahimong ipasibo sa imong hangyo

 

Mga Aplikasyon

·Elektroniko sa Kusog

Ang mga N type SiC wafer importante sa mga power electronic device tungod sa ilang abilidad sa pagdumala sa taas nga boltahe ug taas nga kuryente. Kasagaran kini gigamit sa mga power converter, inverter, ug motor drive para sa mga industriya sama sa renewable energy, electric vehicles, ug industrial automation.

· Optoelektronika
Ang mga materyales nga N type SiC, ilabina alang sa mga aplikasyon sa optoelectronic, gigamit sa mga aparato sama sa light-emitting diodes (LEDs) ug laser diodes. Ang ilang taas nga thermal conductivity ug lapad nga bandgap naghimo kanila nga sulundon alang sa mga high-performance optoelectronic device.

·Mga Aplikasyon sa Taas nga Temperatura
Ang mga 4H-N 6H-N SiC wafers angayan kaayo para sa mga palibot nga taas ang temperatura, sama sa mga sensor ug mga power device nga gigamit sa aerospace, automotive, ug industrial nga mga aplikasyon diin ang pagkawala sa kainit ug kalig-on sa taas nga temperatura hinungdanon kaayo.

·Mga RF Device
Ang 4H-N 6H-N SiC wafers gigamit sa mga radio frequency (RF) device nga naglihok sa high-frequency ranges. Gigamit kini sa mga sistema sa komunikasyon, teknolohiya sa radar, ug komunikasyon sa satellite, diin gikinahanglan ang taas nga power efficiency ug performance.

·Mga Aplikasyon sa Photonic
Sa photonics, ang SiC wafers gigamit para sa mga device sama sa photodetectors ug modulators. Ang talagsaong mga kabtangan sa materyal nagtugot niini nga mahimong epektibo sa pagmugna og kahayag, modulation, ug detection sa optical communication systems ug imaging devices.

·Mga Sensor
Ang mga SiC wafer gigamit sa lainlaing mga aplikasyon sa sensor, labi na sa mga lisod nga palibot diin ang ubang mga materyales mahimong mapakyas. Naglakip kini sa temperatura, presyur, ug mga sensor sa kemikal, nga hinungdanon sa mga natad sama sa awto, lana ug gas, ug pagmonitor sa kalikopan.

·Mga Sistema sa Pagmaneho sa mga Sakyanang Elektrisidad
Ang teknolohiya sa SiC adunay dakong papel sa mga de-kuryenteng sakyanan pinaagi sa pagpalambo sa kahusayan ug performance sa mga drive system. Uban sa SiC power semiconductors, ang mga de-kuryenteng sakyanan makab-ot ang mas maayong kinabuhi sa baterya, mas paspas nga oras sa pag-charge, ug mas taas nga episyente sa enerhiya.

·Mga Abansadong Sensor ug Photonic Converter
Sa mga abanteng teknolohiya sa sensor, ang mga SiC wafer gigamit sa paghimo og mga high-precision sensor para sa mga aplikasyon sa robotics, medical devices, ug environmental monitoring. Sa mga photonic converter, ang mga kabtangan sa SiC gigamit aron makahimo og episyente nga pagkakabig sa enerhiya sa kuryente ngadto sa optical signals, nga importante sa telekomunikasyon ug high-speed internet infrastructure.

Pangutana ug Tubag

QUnsa ang 4H sa 4H SiC?
AAng "4H" sa 4H SiC nagtumong sa kristal nga istruktura sa silicon carbide, ilabi na ang hexagonal nga porma nga adunay upat ka lut-od (H). Ang "H" nagpakita sa klase sa hexagonal polytype, nga nagpalahi niini gikan sa ubang SiC polytypes sama sa 6H o 3C.

QUnsa ang thermal conductivity sa 4H-SiC?
AAng thermal conductivity sa 4H-SiC (Silicon Carbide) gibana-bana nga 490-500 W/m·K sa temperatura sa kwarto. Kini nga taas nga thermal conductivity naghimo niini nga sulundon alang sa mga aplikasyon sa power electronics ug mga palibot nga taas ang temperatura, diin ang episyente nga pagpaagas sa kainit hinungdanon kaayo.

  • Miagi:
  • Sunod:

    • Mga May Kalabutan nga Produkto

    Isulat ang imong mensahe dinhi ug ipadala kini kanamo
    Pindota ang enter aron mangita o ESC aron isira