3 pulgada 76.2mm 4H-Semi SiC substrate wafer nga Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafers

Mubo nga Deskripsyon:

Taas nga kalidad nga single crystal SiC wafer (Silicon Carbide) para sa industriya sa elektroniko ug optoelectronic. Ang 3 ka pulgada nga SiC wafer usa ka sunod nga henerasyon nga semiconductor material, semi-insulating silicon-carbide wafers nga may 3 ka pulgada nga diametro. Ang mga wafer gituyo alang sa paghimo og mga power, RF ug optoelectronics device.

Padad-i kami og email

Mga Kinaiya

Espisipikasyon sa Produkto

Ang 3-pulgada nga 4H semi-insulated SiC (silicon carbide) substrate wafers usa ka kasagarang gigamit nga semiconductor material. Ang 4H nagpakita sa tetrahexahedral crystal structure. Ang semi-insulation nagpasabot nga ang substrate adunay taas nga resistance characteristics ug mahimong medyo mahimulag gikan sa current flow.

Ang maong mga substrate wafer adunay mosunod nga mga kinaiya: taas nga thermal conductivity, ubos nga conduction loss, maayo kaayo nga resistensya sa taas nga temperatura, ug maayo kaayo nga mekanikal ug kemikal nga kalig-on. Tungod kay ang silicon carbide adunay lapad nga energy gap ug makasugakod sa taas nga temperatura ug taas nga kondisyon sa electric field, ang 4H-SiC semi-insulated wafers kaylap nga gigamit sa power electronics ug radio frequency (RF) devices.

Ang mga nag-unang gamit sa 4H-SiC semi-insulated wafers naglakip sa:

1--Power electronics: Ang 4H-SiC wafers magamit sa paghimo og mga power switching device sama sa MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) ug Schottky diodes. Kini nga mga device adunay mas ubos nga conduction ug switching losses sa taas nga boltahe ug taas nga temperatura nga mga palibot ug nagtanyag og mas taas nga efficiency ug kasaligan.

2--Mga Himan sa Radio Frequency (RF): Ang 4H-SiC semi-insulated wafers magamit sa paghimo og mga high power, high frequency RF power amplifiers, chip resistors, filters, ug uban pang mga himan. Ang Silicon carbide adunay mas maayo nga high-frequency performance ug thermal stability tungod sa mas taas nga electron saturation drift rate ug mas taas nga thermal conductivity.

3--Mga optoelectronic device: Ang 4H-SiC semi-insulated wafers magamit sa paghimo og mga high-power laser diode, UV light detector ug optoelectronic integrated circuits.

Kon hisgutan ang direksyon sa merkado, ang panginahanglan alang sa 4H-SiC semi-insulated wafers nagkataas uban sa nagtubo nga mga natad sa power electronics, RF ug optoelectronics. Kini tungod sa kamatuoran nga ang silicon carbide adunay daghang mga aplikasyon, lakip ang energy efficiency, electric vehicles, renewable energy ug komunikasyon. Sa umaabot, ang merkado alang sa 4H-SiC semi-insulated wafers nagpabilin nga maayo kaayo ug gilauman nga mopuli sa naandan nga mga materyales sa silicon sa lainlaing mga aplikasyon.